Вышедшие номера
Фотофизические свойства индоло[3,2-b]карбазолов --- перспективного класса материалов для оптоэлектроники
Светличный В.М.1, Александрова Е.Л.2, Мягкова Л.А.1, Матюшина Н.В.1, Некрасова Т.Н.1, Тамеев А.Р.3, Степаненко С.Н.3, Ванников А.В.1, Кудрявцев В.В.1
1Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.

Проведен сравнительный анализ фотофизических свойств новых синтезированных индокарбазолов - индоло[3,2-b]карбазола и его производных. Показано, что они по своим светочувствительным (интегральная светочувствительность - до (5-8)·10-2 (лк·с)-1, спектральная - на уровне 105 см2/Дж-1; квантовый выход фотогенерации свободных носителей заряда - 0.1) и транспортным (эффективная подвижность в 5,11-диоктилиндоло[3,2-b]карбазола - более 10-5 см2/(В·с)) параметрам значительно превосходят производные индола и карбазола и приближаются к пентацену, имеющему среди молекулярных сред (органических кристаллов) наибольшие квантовые выходы фотогенерации носителей заряда. Высокий уровень фотолюминесценции синтезированных производных индоло[3,2-b]карбазола позволяет надеяться на возможность их использования в электролюминесцентных приборах.