"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах
Слипченко С.О.1, Шашкин И.С.1, Вавилова Л.С.1, Винокуров Д.А.1, Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Подоскин А.А.1, Станкевич А.Л.1, Фетисова Н.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

Исследованы температурные зависимости излучательных характеристик лазерных диодов на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом. Установлено, что в непрерывном режиме генерации основным механизмом насыщения ватт-амперной характеристики с ростом температуры является увеличение концентрации носителей заряда в волноводном слое. Экспериментально показано, что температурная делокализация носителей заряда ведет к росту величины внутренних оптических потерь и падению внешней дифференциальной квантовой эффективности. Продемонстрировано, что степень делокализации носителей заряда зависит от температурного распределения носителей заряда, пороговой концентрации и глубины квантовой ямы. Рассмотрено влияние толщины и энергетической глубины квантовой ямы на температурную чувствительность порогового тока и выходной оптической мощности.
  1. С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алферов. ФТП, 38(12), 1477 (2004)
  2. Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, В.А. Капитонов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Н.А. Рудова, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, М.А. Хомылев, И.С. Тарасов. ФТП, 40(6), 764 (2006)
  3. А.В. Мурашова, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, В.В. Шамахов, В.В. Васильева, В.А. Капитонов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов, Y.S. Kim, D.H. Kang, C.Y. Lee. ФТП, 42(7), 882 (2008)
  4. А.В. Алуев, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, Н.В. Фетисова, А.А. Чельный, В.В. Шамахов, В.А. Симаков, И.С. Тарасов. ФТП, 43(4), 556 (2009)
  5. А.Ю. Андреев, С.А. Зорина, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, А.В. Мурашова, Т.А. Налет, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, К.Ю. Телегин, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 43(4), 543 (2009)
  6. С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, К.С. Борщев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 40(8), 1017 (2006)
  7. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, А.В. Рожков, Н.А. Рудова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщев, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 32(16), 47 (2006)
  8. L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits ((John Wiley \& Sons, Inc., 1995)
  9. S. Adachi. Physical properties of III--V Semiconductor Compounds (John Wiley \& Sons Inc., 1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.