"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Увеличение квантовой эффективности флип-чип AlGaInN-светодиодов путем реактивного ионного травления внешней стороны подложек SiC
Смирнова И.П.1, Марков Л.К.1, Аракчеева Е.М.1, Павлюченко А.С.1,2, Закгейм Д.А.1, Кулагина М.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ЗАО "Эпицентр", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

Работа посвящена развитию метода создания рассеивающего свет микрорельефа на внешней стороне подложек SiC для уменьшения потерь при выводе света из светодиодного кристалла, связанных с эффектом полного внутреннего отражения в структурах AlGaIn/GaN. Предложено использовать тонкие слои фоторезиста в качестве случайных масок для процесса реактивного ионного травления подложки из карбида кремния. Оптимизацией режимов травления на поверхности подложки SiC получен микрорельеф с требуемыми параметрами, что привело к увеличению внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов более чем на 25%.
  1. J.J. Wierer, D.A. Steigerwald, M.R. Krames, J.J. O'Shea, M.J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P.S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N.F. Gardner, R.S. Kern, S.A. Stockman. Appl. Phys. Lett., 78, 3379 (2001)
  2. D.A. Zakheim, I.P. Smirnova, E.M. Arakcheeva, M.M. Kulagina, S.A. Gurevich, I.V. Rozhansky, V.W. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Sakharov, A.V. Fomin, A.L. Zakheim, E.D. Vasil'eva, G.V. Itkinson. Phys. Status Solidi C, 1, 2401 (2004)
  3. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E.L. Hu, S.P. Den Baars, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 84, 855 (2004)
  4. K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada, M. Kato, T. Taguchi. Jpn. J. Appl. Phys., 40, L583 (2001)
  5. Y.P. Hsu, S.J. Chang, Y.K. Su, J.K. Sheu, C.T. Lee, T.C. Wen, L.W. Wu, C.H. Kuo, C.S. Chang, S.C. Shei. J. Cryst. Growth, 261, 466 (2004)
  6. Y.J. Lee, T.C. Hsu, H.C. Kuo, S.C. Wang, Y.L. Yang, S.N. Yen, Y.T. Chu, Y.J. Shen, M.H. Hsieh, M.J. Jou, B.J. Lee. Mater. Sci. Engin. B, 122, 184 (2005)
  7. J.J. Wierer, M.R. Krames, J.E. Epler, N.F. Gardner, M.G. Craford, J.R. Wendt, J.A. Simmons, M. Sigalas. Appl. Phys. Lett., 84, 3885 (2004)
  8. Y.C. Shen, J.J. Wierer, M.R. Krames, M.J. Ludowise, M.S. Misra, F. Ahmed, A.V. Kim, G.O. Mueller, J.C. Bhat, S.A. Stockman, P.S. Martin. Appl. Phys. Lett., 82, 2221 (2003)
  9. И.П. Смирнова, Л.К. Марков, Д.А. Закгейм, Е.М. Аракчеева, М.Р. Рымалис. ФТП, 40, 1397 (2006)
  10. И.П. Смирнова, Д.А. Закгейм, М.М. Кулагина, Л.К. Марков. Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы. Тез. докл. 4-й Всеросс. конф. (Санкт-Петербург, 2005) с. 134

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.