Вышедшие номера
Об "избыточных" токах утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе 4H-SiC
Иванов П.А.1, Грехов И.В.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1, Ильинская Н.Д.1, Коньков О.И.1, Серебренникова О.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

Изготовлены высоковольтные диоды Шоттки на основе 4H-SiC с никелевым барьером и охранной системой в виде "плавающих" планарных p-n-переходов. Анализ вольт-амперных характеристик, измеренных в широком диапазоне температур, показал, что ток в прямом направлении обусловлен термоэлектронной эмиссией, однако в обратном направлении ток "избыточен". Выдвигается предположение о том, что обратный ток протекает локально, в местах выхода на границу Ni-SiC проникающих дислокаций. Вид обратных вольт-амперных характеристик позволил заключить, что электронный транспорт происходит по механизму монополярной инжекции (ток, ограниченный пространственным зарядом) с участием ловушек захвата.