"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности подпорогового дефектообразования в монокристаллах CdS и CdS : Cu при рентгеновском облучении
Мирончук Г.Л.1, Давидюк Г.Е.1, Божко В.В.1, Кажукаускас В.2
1Волынский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
2Вильнюсский университет, L Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 7 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронной радиации с энергией электронов 230 кэВ, рентгеновских квантов в энергиями 8.06, 17.5 кэВ и закалки образцов на образование и перестройку центров медленной рекомбинации неравновесных носителей заряда (так называемых r-центров) в специально не легированных и легированных медью (NCu~1018 см-3) монокристаллах CdS. Показано, что за r-центры ответственны дефекты в кадмиевой подрешетке кристалла, а именно вакансии VCd и близкие к ним по параметрам дефекты CuCd. При рентгеновском облучении как нелегированных, так и легированных Cu монокристаллов CdS имеет место подпороговое дефектообразование вакансий кадмия и CuCd в местах искаженных и ослабленных межатомных связей --- "слабых местах" возле крупных структурных повреждений решетки технологического или иного происхождения. Начиная с температуры закалки 170oC заметное влияние на спектр центров медленной рекомбинации оказывают термообразованные VCu и вторичные дефекты CuCd. При температурах закалки больших 250oC заметный вклад в спектр оптического гашения фотопроводимости вносят термовведенные свободные (вдали от структурных повреждений) r-центры --- VCd и CuCd.
  1. В.А. Лошкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
  2. А.А. Галушка, Г.Е. Давидюк, В.Т. Мак, В.И. Куц, Н.С. Богданюк. ФТП, 9 (11), 2174 (1975)
  3. Оптические свойства полупроводников. Справочник, под ред. В.И. Гавриленко, А.М. Грехова, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко (Киев, Наук. думка, 1987)
  4. Р. Бьюб. Фотопроводность твердых тел (М., Изд-во иностр. лит., 1962)
  5. Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк, А.П. Галушка. ФТП, 17 (3), 506 (1983)
  6. А.М. Гурвич. Введение в физическую химию кристаллофосфоров (М., Высш., шк., 1982)
  7. И.Б. Ермолович, М.К. Шейнкман. ФТП, 5 (6), 1185 (1971)
  8. И.Б. Ермолович, Г.И. Матвиевская, Г.С. Пекар, М.К. Шейнкман. УФЖ, 18 (5), 733 (1973)
  9. Точечные дефекты в твердых телах, под ред. Б.И. Болтакса, Т.В. Машовец, А.Н. Орловва (М., Мир, 1979)
  10. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
  11. В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники (М., Наука, 1988)
  12. А.А. Абдулаев, Н.А. Витовский, Т.В. Машовец, Ю.Т. Морозов. ФТП, 9 (1), 68 (1975)
  13. Г.Е. Давидюк, А.П. Галушка, В.С. Манжара, Н.С. Богданюк. Изв. вузов. Физика, 7, 37 (1980)
  14. Н.В. Классен, Ю.А. Осипьян. ФТТ, 14 (12), 3694 (1972)
  15. Г.С. Давидюк, В.В. Божко, Н.А. Головина, Г.Л. Мирончук, Л.В. Булатецкая. Науч. весн. ВДУ. Физ. науки, 4, 172 (2006)
  16. В.Н. Бабенцов, И.Я. Городецкий, Н.Е. Корсунская, И.Ю. Шаблий, М.К. Шейнкман. УФЖ, 25 (10), 1747 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.