Особенности подпорогового дефектообразования в монокристаллах CdS и CdS : Cu при рентгеновском облучении
Мирончук Г.Л.1, Давидюк Г.Е.1, Божко В.В.1, Кажукаускас В.2
1Волынский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
2Вильнюсский университет, L Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 7 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.
Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронной радиации с энергией электронов 230 кэВ, рентгеновских квантов в энергиями 8.06, 17.5 кэВ и закалки образцов на образование и перестройку центров медленной рекомбинации неравновесных носителей заряда (так называемых r-центров) в специально не легированных и легированных медью (NCu~1018 см-3) монокристаллах CdS. Показано, что за r-центры ответственны дефекты в кадмиевой подрешетке кристалла, а именно вакансии VCd и близкие к ним по параметрам дефекты CuCd. При рентгеновском облучении как нелегированных, так и легированных Cu монокристаллов CdS имеет место подпороговое дефектообразование вакансий кадмия и CuCd в местах искаженных и ослабленных межатомных связей - "слабых местах" возле крупных структурных повреждений решетки технологического или иного происхождения. Начиная с температуры закалки 170oC заметное влияние на спектр центров медленной рекомбинации оказывают термообразованные VCu и вторичные дефекты CuCd. При температурах закалки больших 250oC заметный вклад в спектр оптического гашения фотопроводимости вносят термовведенные свободные (вдали от структурных повреждений) r-центры - VCd и CuCd.
- В.А. Лошкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
- А.А. Галушка, Г.Е. Давидюк, В.Т. Мак, В.И. Куц, Н.С. Богданюк. ФТП, 9 (11), 2174 (1975)
- Оптические свойства полупроводников. Справочник, под ред. В.И. Гавриленко, А.М. Грехова, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко (Киев, Наук. думка, 1987)
- Р. Бьюб. Фотопроводность твердых тел (М., Изд-во иностр. лит., 1962)
- Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк, А.П. Галушка. ФТП, 17 (3), 506 (1983)
- А.М. Гурвич. Введение в физическую химию кристаллофосфоров (М., Высш., шк., 1982)
- И.Б. Ермолович, М.К. Шейнкман. ФТП, 5 (6), 1185 (1971)
- И.Б. Ермолович, Г.И. Матвиевская, Г.С. Пекар, М.К. Шейнкман. УФЖ, 18 (5), 733 (1973)
- Точечные дефекты в твердых телах, под ред. Б.И. Болтакса, Т.В. Машовец, А.Н. Орловва (М., Мир, 1979)
- В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
- В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники (М., Наука, 1988)
- А.А. Абдулаев, Н.А. Витовский, Т.В. Машовец, Ю.Т. Морозов. ФТП, 9 (1), 68 (1975)
- Г.Е. Давидюк, А.П. Галушка, В.С. Манжара, Н.С. Богданюк. Изв. вузов. Физика, 7, 37 (1980)
- Н.В. Классен, Ю.А. Осипьян. ФТТ, 14 (12), 3694 (1972)
- Г.С. Давидюк, В.В. Божко, Н.А. Головина, Г.Л. Мирончук, Л.В. Булатецкая. Науч. весн. ВДУ. Физ. науки, 4, 172 (2006)
- В.Н. Бабенцов, И.Я. Городецкий, Н.Е. Корсунская, И.Ю. Шаблий, М.К. Шейнкман. УФЖ, 25 (10), 1747 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук