Вышедшие номера
Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона
Семенов А.Н.1, Терентьев Я.В.1, Мельцер Б.Я.1, Соловьев В.А.1, Попова Т.В.1, Нащекин А.В.1, Андреев И.А.1, Куницына Е.В.1, Усикова А.А.1, Яковлев Ю.П.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микросокпии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы GaxIn1-xAsySb1-y с x<0.8, выращеные при температуре 500oC, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов GaxIn1-xAsySb1-y (x<0.75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb.