"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn, сильно легированного атомами редкоземельных металлов
Ромака В.А.1,2, Fruchart D.3, Hlil E.K.3, Гладышевский Р.Е.4, Gignoux D.3, Ромака В.В.4, Кужель Б.С.4, Крайовский Р.В.2
1Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт Нееля Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
4Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 16 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

Исследованы кристаллическая структура, распределение электронной плотности, энергетические, кинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn, сильно легированного атомами редкоземельных металлов (R) в диапазонах температур 1.5-400 K, концентраций редкоземельного металла 9.5·1019-9.5·1021 см-3, магнитных полей H=<15 Тл. Определены области существования твердых растворов Zr1-xRxNiSn, сформулированы критерии растворимости атомов редкоземельных металлов в ZrNiSn и перехода диэлектрик-металл, определена природа "априорного легирования" ZrNiSn донорами как результат перераспределения атомов Zr и Ni в кристаллографических позициях Zr. Установлена корреляция между концентрацией примеси R, амплитудой модуляции зон непрерывных энергий, а также степенью заполнения носителями тока потенциальных ям мелкомасштабных флуктуаций. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса.
  1. T.M. Tritt, M.A. Subramanian. MRS Bulletin, 31 (3), 188 (2006)
  2. Ф.Г. Алиев, Р.В. Сколоздра. Тез. докл. V Всес. конф. по кристаллохимии интерметаллических соединений (Львов, ЛГУ, 1989) с. 10
  3. C. Uher, J. Yang, S. Hu, D.T. Morelli, G.P. Meisner. Phys. Rev. B, 59 (13), 8615 (1999)
  4. V.K. Pecharsky, P.Y. Zavalij. Fundamentals of Powder Diffraction and Structural Characterization of Materials (N.Y., Springer, 2005)
  5. В.А. Ромака, D. Fruchart, В.В. Ромака, E.K. Hlil, Ю.В. Стаднык, Ю.К. Гореленко, Л.Г. Аксельруд. ФТП, 43 (1), 11 (2009)
  6. В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, Л.Г. Аксельруд, В.В. Ромака, D. Fruchart, P. Rogl, В.Н. Давыдов, Ю.К. Гореленко. ФТП, 42 (7), 769 (2008)
  7. P. Larson, S.D. Mahanti, M.G. Kanatzidis. Phys. Rev. B, 62 (19), 12 754 (2000)
  8. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  9. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 61, 816 (1971)
  10. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 62, 1156 (1972)
  11. В.А. Ромака, E.K. Hlil, Я.В. Сколоздра, P. Rogl, Ю.В. Стаднык, Л.П. Ромака, А.М. Горынь. ФТП, 43 (9), 1157 (2009)
  12. Yu. Stadnyk, V.A. Romaka, Yu.K. Gorelenko, L.P. Romaka, D. Fruchart, V.F. Chekurin. J. Alloys Comp., 400, 29 (2005)
  13. L.G. Akselrud, Yu.N. Grin, P.Yu. Zavalii, V.K. Pecharsky, V.S. Fundamenskii. Collected Abstr. 12th Eur. Crystallographic Meeting (M., Nauka, 1989) p. 155
  14. S. Ogut, K.M. Rabe. Phys. Rev. B, 51 (16), 10 443 (1995)
  15. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.D. Davis. Electron processes in non-crystalline materials (Oxford, Clarendon Press, 1979)]
  16. H. Overhof, W. Beyer. Phil. Mag. B, 43 (3), 433 (1981)
  17. D. Fruchart, V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, L.P. Romaka, Yu.K. Gorelenko, M.G. Shelyapina, V.F. Chekurin. J. Alloys Comp., 438, 8 (2007)
  18. В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, D. Fruchart, Л.П. Ромака, А.М. Горынь, Ю.К. Гореленко, Т.И. Доминюк. ФТП, 43 (3), 297 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.