Вышедшие номера
Влияние отжига на микроволновое магнетосопротивление в тонких пленках Ge0.96Mn0.04
Дмитриев А.И.1, Моргунов Р.Б.1, Казакова (O.L. Kazakova) О.Л.1
1Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 22 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

Установлено, что отжиг полученных ионной имплантацией пленок Ge0.96Mn0.04 толщиной 120 нм приводит к увеличению микроволнового удельного сопротивления и смене механизма сбоя фазы носителей заряда. Влияние отжига на микроволновые транспортные свойства тонких пленок обусловлено диффузионно-контролируемой агрегацией примесных диспергированных ионов Mn2+ в кластеры Ge3Mn5.