Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Осаждение тонких пленок Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃ методом импульсной лазерной абляции

Вирт И.С.^1,2, Шкумбатюк Т.П.¹, Курило И.В.³, Рудый И.О.³, Лопатинский И.Е.³, Линник Л.Ф.⁴, Тетёркин В.В.⁴, Федоров А.Г.⁵

¹Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина Franko State Pedagogical University, Drogobych, Ukraine

Franko State Pedagogical University, Drogobych, Ukraine

²Institute of Physics, University of Rzeszow, 35-959 Rzeszow, Poland
³Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine

Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine

⁴Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

⁵Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина Institute for Single Crystals, National Academy of Sciences of Ukraine, Kharkiv, Ukraine

Institute for Single Crystals, National Academy of Sciences of Ukraine, Kharkiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 26 января 2009 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом импульсной лазерной абляции получены пленки Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃. Пленки осаждались в вакууме (1·10^-5 мм рт. ст.) на подогретые до температуры 453-523 K монокристаллические подложки Al₂O₃ (0001), BaF₂ (111) и свежие сколы KCl или NaCl (001). Толщина пленок составляла 10-1500 нм. Структура объемного материала мишеней и пленок исследовалась методом рентгеновской дифрактометрии и дифракции электронов высоких энергий на просвет соответственно. Электрические свойства пленок измерялись в температурном интервале 77-300 K. Показано, что пленки обладают полупроводниковыми свойствами. На температурных зависимостях удельного сопротивления наблюдается несколько активационных участков, энергии которых зависят от толщины пленки и размеров кристаллитов.

A. Ioffe. Semiconductor Thermoelements and Thermoelectric Cooling (London, Infosearch, 1957)
Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi₂Te₃ (М., Наука, 1972)
Thermoelectrics handbook: macro to nano, ed. by D.M. Rowe (Taylor \& Francis, 2006)
R. Venkatasubramanian, E. Silvola, T. Colpitts, B. O'Quinn. Nature, 413, 597 (2001)
P.G. Ganesan, V. Damodara Das. Mater. Lett., 60, 2059 (2005)
R. Sathyamoorthy, J. Dheepa, A. Subbarayan. J. Cryst. Growth, 281, 563 (2005)
Xingkai Duan, Junyou Yang, Wei Zhong, Wei Zhu, Siqian Bao, Xi'an Fan. Powder Technology, 172, 63 (2007)
L.M. Goncalves, C. Couto, P. Alpuim, D.M. Rowe, J.H. Correia. Sensors Actuators, 130--131, 346 (2006)
Ю.А. Бойков, В.А. Данилов. ЖТФ, 78, 63 (2008)
R. Venkatasubramanian, T. Colpitts, E. Watko, M. Lamvik, N. El-Masry. J. Cryst. Growth, 170, 817 (1997)
J.J. Dubowski. Chemotronics, 3 (7), 66 (1988)
С.В. Гапонов, В.М. Лускин, Н.Н. Салащенко. Письма ЖТФ, 5, 516 (1979)
Joint Committee on Powder Diffraction Standards (JCPDS) diffraction data card, American Society for Testing and Materials (ASTM)
S. Cho, Y. Kim, A. Di Venere, G.K. Wong, J.B. Ketterson, J.R. Meyer. Appl. Phys. Lett., 75, 1401 (1999)
B.D. Cullity. Elements of X-ray Diffraction, 2nd ed. (Addison-Wesley, Reading, MA, 1978) p. 284, 366
J.T. Cheung. Laser-controlled Chem. Process. Surfaces Symp. (Boston, USA, 1983) p. 301
Ю.В. Голошихин, К.Е. Миронов, А.Я. Поляков. Поверхность, N 12, 12 (1991)
I.O. Rudyi, I.V. Kurilo, M.S. Frugynskyj, M. Kuzma, J. Zawislak, I.S. Virt. Appl. Surf. Sci., 154--155, 206 (2000)
И.П. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. Эпитаксиальные пленки соединений A^IIB^VI (Л., Изд-во ЛГУ, 1978) с. 218
O. Madelung. Semiconductors --- Basic Data, 2nd ed. (Springer, 1996) p. 207

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель