"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Осаждение тонких пленок Bi2Te3 и Sb2Te3 методом импульсной лазерной абляции
Вирт И.С.1,2, Шкумбатюк Т.П.1, Курило И.В.3, Рудый И.О.3, Лопатинский И.Е.3, Линник Л.Ф.4, Тетёркин В.В.4, Федоров А.Г.5
1Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2Institute of Physics, University of Rzeszow, 35-959 Rzeszow, Poland
3Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
4Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 26 января 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

Методом импульсной лазерной абляции получены пленки Bi2Te3 и Sb2Te3. Пленки осаждались в вакууме (1·10-5 мм рт. ст.) на подогретые до температуры 453-523 K монокристаллические подложки Al2O3 (0001), BaF2 (111) и свежие сколы KCl или NaCl (001). Толщина пленок составляла 10-1500 нм. Структура объемного материала мишеней и пленок исследовалась методом рентгеновской дифрактометрии и дифракции электронов высоких энергий на просвет соответственно. Электрические свойства пленок измерялись в температурном интервале 77-300 K. Показано, что пленки обладают полупроводниковыми свойствами. На температурных зависимостях удельного сопротивления наблюдается несколько активационных участков, энергии которых зависят от толщины пленки и размеров кристаллитов.
  1. A. Ioffe. Semiconductor Thermoelements and Thermoelectric Cooling (London, Infosearch, 1957)
  2. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 (М., Наука, 1972)
  3. Thermoelectrics handbook: macro to nano, ed. by D.M. Rowe (Taylor \& Francis, 2006)
  4. R. Venkatasubramanian, E. Silvola, T. Colpitts, B. O'Quinn. Nature, 413, 597 (2001)
  5. P.G. Ganesan, V. Damodara Das. Mater. Lett., 60, 2059 (2005)
  6. R. Sathyamoorthy, J. Dheepa, A. Subbarayan. J. Cryst. Growth, 281, 563 (2005)
  7. Xingkai Duan, Junyou Yang, Wei Zhong, Wei Zhu, Siqian Bao, Xi'an Fan. Powder Technology, 172, 63 (2007)
  8. L.M. Goncalves, C. Couto, P. Alpuim, D.M. Rowe, J.H. Correia. Sensors Actuators, 130--131, 346 (2006)
  9. Ю.А. Бойков, В.А. Данилов. ЖТФ, 78, 63 (2008)
  10. R. Venkatasubramanian, T. Colpitts, E. Watko, M. Lamvik, N. El-Masry. J. Cryst. Growth, 170, 817 (1997)
  11. J.J. Dubowski. Chemotronics, 3 (7), 66 (1988)
  12. С.В. Гапонов, В.М. Лускин, Н.Н. Салащенко. Письма ЖТФ, 5, 516 (1979)
  13. Joint Committee on Powder Diffraction Standards (JCPDS) diffraction data card, American Society for Testing and Materials (ASTM)
  14. S. Cho, Y. Kim, A. Di Venere, G.K. Wong, J.B. Ketterson, J.R. Meyer. Appl. Phys. Lett., 75, 1401 (1999)
  15. B.D. Cullity. Elements of X-ray Diffraction, 2nd ed. (Addison-Wesley, Reading, MA, 1978) p. 284, 366
  16. J.T. Cheung. Laser-controlled Chem. Process. Surfaces Symp. (Boston, USA, 1983) p. 301
  17. Ю.В. Голошихин, К.Е. Миронов, А.Я. Поляков. Поверхность, N 12, 12 (1991)
  18. I.O. Rudyi, I.V. Kurilo, M.S. Frugynskyj, M. Kuzma, J. Zawislak, I.S. Virt. Appl. Surf. Sci., 154--155, 206 (2000)
  19. И.П. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. Эпитаксиальные пленки соединений AIIBVI (Л., Изд-во ЛГУ, 1978) с. 218
  20. O. Madelung. Semiconductors --- Basic Data, 2nd ed. (Springer, 1996) p. 207

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.