"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние энергетических параметров осаждаемого лазерно-инициированного потока атомов платины на характеристики тонкопленочной структуры Pt/n-6H-SiC
Фоминский В.Ю.1, Романов Р.И.1, Гнедовец А.Г.1, Зуев В.В.1, Демин М.В.1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 2 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

Проведены экспериментальные исследования особенностей формирования пленок платины на подложках n-6H-SiC при реализации различных способов импульсного лазерного осаждения. Осаждение проводилось как в вакууме традиционным способом, так и в инертной газовой среде с применением дискового экрана, устанавливаемого на оси разлета факела между лазерной мишенью и подложкой для защиты подложки от частиц микронных и субмикронных размеров. Разработана компьютерная модель такого процесса, которая позволяет прогнозировать распределение осаждаемой пленки по поверхности подложки, энергетические и угловые параметры атомарного потока при варьировании свойств лазерного факела, давления инертного газа и расположения экрана. Результаты моделирования использовались для объяснения электрических свойств тонкопленочных структур Pt/n-6H-SiC, полученных различными способами.
  1. Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, Ю.Н. Дроздов, В.П. Лесников, В.В. Подольский. ФТП, 39 (1), 8 (2005)
  2. Э.Б. Каганович, И.П. Лисовский, Э.Г. Манойлов, С.А. Злобин. ФТП, 40 (4), 449 (2006)
  3. В.Ф. Гременок, И.В. Боднарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, H.-W. Schock. ФТП, 36 (3), 360 (2002)
  4. А.В. Варлашкин, С.И. Красносвободцев, М.Л. Чухаркин, О.В. Снигирев, А.В. Цикунов, Н.П. Шабанова. ЖТФ, 77 (5), 127 (2007)
  5. B. Hopp, N. Krezs, Cs. Vass, Z. Toth, T. Smausz, F. Ignacs. Appl. Surf. Sci., 186, 298 (2002)
  6. Z. Trajanovic, S. Choopun, R.P. Sharma, T. Venkatesan. Appl. Phys. Lett., 70, 3461 (1997)
  7. T. Kobayashi, H. Akiyoshi, M. Tachiki. Appl. Surf. Sci., 197- 198, 294 (2002)
  8. Chu Chen, P.P. Ong, H. Wang. Thin Sol. Films, 382, 275 (2001)
  9. В.Н. Неволин, В.Ю. Фоминский, А.Г. Гнедовец, Р.И. Романов. ЖТФ, 79 (1), 118 (2009)
  10. M. Soshacki, A. Kolendo, J. Szmidt, A. Werlowy, Solid-State. Electron., 49, 585 (2005)
  11. C.I. Muntele, D. Lla, E.K. Williams, D.B. Poker, D.K. Hensley, D.J. Larkin, L. Muntele. Mater. Sci. Forum, 338- 342, 1443 (2000)
  12. Ю.А. Быковский, С.М. Сильнов, Е.А. Сотниченко, Б.А. Шестаков. ЖЭТФ, 93, 500 (1987)
  13. J. Krasa, A. Lorusso, D. Doria, F. Belloni, V. Nassisi, K. Rohlena. Plasma Phys. Control. Fusion, 47, 1339 (2005)
  14. G.A. Bird. Molecular Gas Dynamics and the Direct Simulation of Gas Flows (Clarendon Press, Oxford, 1994)
  15. S. Mahieu, K. Van Aeken, D. Depla. In: Reactive Sputter Deposition, ed. by D. Depla, S. Mahieu (Berlin, Springer, 2008) p. 198
  16. К. Дей, Д. Селбин. Неорганическая химия (М., Химия, 1969) с. 108
  17. Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965) с. 104
  18. И.В. Грехов, П.А. Иванов, И.Д. Ильинская, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонов. ФТП, 42 (2), 211 (2008)
  19. Т.Т. Мнацаканов, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков. ФТП, 35 (4), 406 (2001)
  20. В.П. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  21. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (М., Мир, 1975).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.