Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности роста квантовых точек InAs на вицинальной поверхности GaAs (001), разориентированной в направлении [010]

Евтихиев В.П.¹, Токранов В.Е.¹, Крыжановский А.К.¹, Бойко А.М.¹, Сурис Р.А.¹, Титков А.Н.¹, Накамура А.², Ичида М.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Центр объединенных исследований по физике и технике при Нагойском университете, 464-01 Нагойя, Япония

Поступила в редакцию: 15 января 1998 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом атомно-силовой микроскопии исследованы структуры с InAs-квантовыми точками, полученные молекулярно-пучковой эпитаксией на вицинальных поверхностях GaAs (001), разориентированных в направлении [010] на 1, 2, 4 и 6 град. Показано, что при выбранном направлении разориентации вицинальная поверхность GaAs (010) покрывается сетью ступенчатых террас. Уплотнение сети террас по мере увеличения угла разориентации приводит к блокированию поверхностной диффузии адсорбированных атомов и делает возможным получение более плотных и более однородных ансамблей квантовых точек при одновременном существенном снижении вероятности их коалесценции.

L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Techn., 11, 554 (1996)
I.N. Stranski, L.Von Krastanow. Akad. Wiss. Lit. Mainz Abh. Math. Maturwiss. Kl. Lib., 146, 797 (1939)
D. Leonard, K. Pond, P.M. Petroff. Phys. Rev. B, 50, 11687 (1994)
G.S. Solomon, J.A. Trezza, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 66, 991 (1995)
J.M. Moison, F. Hoozay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 64, 196 (1994)
G.S. Solomon, J.A. Trezza, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 66, 3161 (1995)
J. Oshinowo, M. Nishioka, S. Ishida, Y. Arakawa. Jap. J. Appl. Phys., 33, L1634 (1994)
M. Kasu, N. Kobayashi. Jap. J. Appl. Phys., 33, 712 (1994)
D.H. Ploog, L. Daweritz. Mater. Sci. Techn., 11, 820 (1995)
Y. Tokura, H. Saito, T. Fukui. J. Cryst. Growth, 94, 46 (1989)
T. Ide, A. Yamashita, T. Mizutani. Phys. Rev. B, 46, 1905 (1992)
N. Ikoma, S. Ohkouchi. Jap. J. Appl. Phys., 34, L724 (1995)
A.Yu. Kaminski, R.A. Suris. Sol. St. Commun., 8, 609 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель