Вышедшие номера
Особенности роста квантовых точек InAs на вицинальной поверхности GaAs (001), разориентированной в направлении [010]
Евтихиев В.П.1, Токранов В.Е.1, Крыжановский А.К.1, Бойко А.М.1, Сурис Р.А.1, Титков А.Н.1, Накамура А.2, Ичида М.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Центр объединенных исследований по физике и технике при Нагойском университете, 464-01 Нагойя, Япония
Поступила в редакцию: 15 января 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

Методом атомно-силовой микроскопии исследованы структуры с InAs-квантовыми точками, полученные молекулярно-пучковой эпитаксией на вицинальных поверхностях GaAs (001), разориентированных в направлении [010] на 1, 2, 4 и 6 град. Показано, что при выбранном направлении разориентации вицинальная поверхность GaAs (010) покрывается сетью ступенчатых террас. Уплотнение сети террас по мере увеличения угла разориентации приводит к блокированию поверхностной диффузии адсорбированных атомов и делает возможным получение более плотных и более однородных ансамблей квантовых точек при одновременном существенном снижении вероятности их коалесценции.