Вышедшие номера
Рассеяние горячих электронов нейтральными акцепторами в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlAs
Мирлин Д.Н.1, Перель В.И.1, Решина И.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

Исследовано оптическое выстраивание горячих электронов и его разрушение в магнитном поле в условиях, когда существенно рассеяние электронов на нейтральных акцепторах. Это позволило определить вероятность рассеяния горячих электронов из начального фотовозбужденного состояния, а также времена, характеризующие их энергетическую и импульсную релаксацию при рассеянии на нейтральных акцепторах. Экспериментальные результаты сравниваются с расчетными.