С помощью магнитозависимого микроволнового поглощения с использованием метода электронного парамагнитного резонанса исследованы магниторезистивные эффекты в сильно легированном n-InAs. Показано, что эти эффекты сводятся к отрицательному, положительному и осциллирующему (эффекту Шубникова-де-Гааза) магнитосопротивлению. Если в последних двух случаях экспериментальные данные согласуются с предсказаниями теории, то в случае отрицательного магнитосопротивления обнаружены особенности, интерпретации которых встречает затруднения: это прежде всего отсутствие эффекта в области очень малых полей, много меньших характеристического поля H_varphi в теории квантовых поправок, а также следующая из температурных и, в какой-то степени, магнитополевых зависимостей двумерность исследуемых объемных образцов в полях, много больших H_varphi.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.