Вышедшие номера
Естественные неоднородности высоты барьера Шоттки
Бондаренко В.Б.1, Кудинов Ю.А.1, Ершов С.Г.1, Кораблев В.В.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Исследованы естественные неоднородности высоты барьера Шоттки, обусловленные дискретностью заряда примеси, случайно распределенной в обедненной области. В рамках модели параллельных диодов получено, что такие естественные флуктуации эффективной высоты барьера в переходе металл-полупроводник при уровнях легирования меньше или порядка 1018 см-3 в среднем не превышают kT при комнатной температуре.
  1. H. Palm, M. Arbes, M. Schulz. Phys. Rev. Lett., 71, 2224 (1993)
  2. B.R. Nad. Electron Transport in Compound Semiconductors (Berlin--Heidelberg--N.Y., 1980)
  3. R.T. Turn. Appl. Phys. Lett., 58, 2821 (1991)
  4. J.P. Sullivan, R.T. Tung, M.R. Pinto, W.R. Graham. J. Appl. Phys., 70, 7403 (1991)
  5. М.Э. Райх, И.М. Рузин. ФТП, 21, 456 (1987)
  6. Х.Г. Нажмудинов, Т.А. Полянская. ФТП, 21, 1737 (1987)
  7. В.Б. Бондаренко, Ю.А. Кудинов, С.Г. Ершов, В.В. Кораблев. ФТП, 30, 2068 (1996)
  8. I. Ordomari, K.N. Tu. J. Appl. Phys., 51, 3735 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.