"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Свойства периодических структур a-Si : Hm/a-SiNx : H, полученных нитридизацией слоев аморфного кремния
Биленко Д.И.1, Белобровая О.Я.1, Галишникова Ю.Н.1, Жаркова Э.А.1, Казанова Н.П.1, Колдобанова О.Ю.1, Хасина Е.И.1
1Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 18 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

Исследованы кинетика нитридизации слоев a-Si : H и свойства образующихся при нитридизации структур, а также слоев a-Si : H в них. Изменение сопротивления слоев a-Si : H в ходе нитридизации описано конкуренцией легирования, переноса и изменением толщины остающегося слоя a-Si : H. Экспериментальные и расчетные данные по зонному спектру сверхрешеток при толщинах слоев a-Si : H~ 35 Angstrem и a-SiNx : H~ 5 Angstrem совпадают при описании моделью взаимодействующих квантовых ям при m*=(0.36± 0.1)m0. Сопоставление свойств сверхрешеток, получаемых последовательным осаждением слоев и нитризацией слоев a-Si : H, показало, что последние могут обладать более высоким "структурным совершенством".
  1. R.A. Street, M.J. Thompson, N.M. Jonson. Phil. Mag. B, 51, 1 (1985)
  2. C.B. Roxlo, B. Abeles, P.D. Persans. J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 1430 (1986)
  3. P.V. Santos, M. Hundhausen, L. Ley, C. Viczian. J. Appl. Phys., 69, 778 (1991)
  4. D. Bilenko, Y. Galishnikova, A. Jarkova, O. Coldobanova, E. Khasina. Proc. Int. Semicond. Dev. Res. Symp. (Charlottesville, 1995)
  5. T. Thedje, B. Abeles. Appl. Phys. Lett., 45, 179 (1984)
  6. Д.И. Биленко, Ю.Н. Галишникова, Э.А. Жаркова, О.Ю. Колдобанова, Е.И. Хасина. ФТП, 28, 2171 (1994)
  7. Y. Hazama, K. Yamada, S. Miyazaki, M. Hirose. J. Non-Cryst. Sol., 114, 777 (1989)
  8. Т. Шул. Решение инженерных задач на ЭВМ (М., Мир, 1982)
  9. Л.А. Балагуров. ФТП, 20, 45 (1986)
  10. В.В. Краснопевцев. Итоги науки и техники. Сер. Электроника, 14, 213 (1982)
  11. Д.И. Биленко, Ю.Н. Галишникова, Э.А. Жаркова, О.Ю. Колдобанова, И.И. Николаева. Письма ЖТФ, 15, 64 (1989)
  12. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
  13. К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
  14. K. Hattori, T. Mori. Phys. Rev. Lett., 80, 825 (1988)
  15. B. Dunnett, D.L. Jones, A.D. Stewart. Phil. Mag. B, 53, 159 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.