Создание и фоточувствительность гетероструктур на основе анодизированного карбида кремния
Лебедев А.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.
Гетеропереходы получены путем механического прижима анодированных пластин 6H-SiC к пластинам слоистых полупроводников AIIIBVI (InSe и GaSe) при 300 K. Благодаря высокому совершенству поверхностей сколов образуется прочный и достаточно совершенный электрический контакт. Спектр фотоэдс гетеропереходов имеет вид широкой полосы. Длинноволновый ее край обусловлен узкозонной компонентой, коротковолновый - поглощением в SiC.
- А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, А.М. Стрельчук. Письма ЖТФ, 22, вып. 17, 59 (1996)
- А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, Ю.В. Рудь. Письма ЖТФ, 21, вып. 3, 64 (1995)
- L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
- J.A. Lely. Ber. Deut. Ceram. Ges., 32, 229 (1955)
- В.Л. Бакуменко, В.Ф. Чишко. ФТП, 11, 2000 (1997)
- В.Л. Бакуменко, З.Д. Ковалюк, Л.Н. Курбатов, В.Г. Тагиев, В.Ф. Чишко. ФТП, 12, 374 (1978)
- Н.Н. Константинова, И.А. Магомедов, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 26, 558 (1992)
- Физико-химические свойства полупроводниковых материалов. Справочник (М., Наука, 1978)
- Н.М. Метхиев. Автореф. докт. дис. (ИФ АНА, Баку, 1991)
- A.G. Milnes, D.L. Feucht. Heterojunctions and Metal--Semiconductor Junctions (Academic Press, N. Y., 1972)
- Ю.В. Рудь. Изв. вузов. Физика, 29, N 8, 68 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
