Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Аккумуляция электронов в слоях GaAs, выращенных при низкой температуре и содержащих кластеры мышьяка
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Птербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Птербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.
Методом емкостной спектроскопии исследованы свойства барьеров Шоттки Au/GaAs на структурах, в которых тонкий слой арсенида галлия, выращенный при низкой температуре (LT-GaAs) и содержащий кластеры As, был вставлен между двумя однородно легированными слоями n-GaAs, выращенными при стандартных температурах. Обнаружена аккумуляция элктронов в слое LT-GaAs, которая сопровождается образованием областей обеднения в прилегающих слоях n-GaAs. Эмиссия электронов из LT-GaAs при 300 K приводит к появлению протяженного плато на зависимости емкости от напряжения. Установлено, что наличие слоя LT-GaAs толщиной 0.1 мкм, вставленного между гораздо более толстыми слоями n-GaAs, приводит к увеличению напряжения электрического пробоя до 230 кВ/см, что значительно превышает величины, характерные для стандартных структур Au/n-GaAs.
- F.W. Smith, A.R. Calawa, C.L. Chen, M.J. Mantra, L.J. Mahoney. Electron. Dev. Lett., 9, 77 (1988)
- M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, T. George, J.B. Kortright, F.W. Smith, B.Y. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1831 (1989)
- M.R. Melloch, K. Mahalingam, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren. J. Cryst. Growth., 111, 39 (1991).
- Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощанов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993).
- J.K. Luo, H. Thomas, D.V. Morgan, D. Westwood, R.H. Williams. Semicond. Sci. Technol., 9, 2199 (1994)
- P. Blood. Semicond. Sci. Technol., 1, 7 (1986)
- E.R. Brown, K.A. McIntosh, K.B. Nichols, C.L. Dennis. Appl. Phys. Lett., 66, 285 (1995).
- П.Н. Брунков, С.Г. Конников, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Максимов, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев. ФТП, 30, 924 (1996)
- P.N. Brounkov, T. Benyattou, G. Guillot. J. Appl. Phys., 80, 864 (1996)
- K. Kreher. Phys. St. Sol. A, 135, 597 (1993)
- D.C. Look, D.C. Walters, M.O. Manasreh, J.R. Sizelove, C.E. Stutz, K.R. Evans. Phys. Rev., B, 42, 3578. (1990)
- H. Fujioka, E.R. Weber, A.K. Verma. Appl. Phys. Lett., 66, 2834 (1995)
- D.C. Look, Z.Q. Fang, H. Yamamoto, J.R. Sizelove, M.G. Mier, E. Stutz. J. Appl. Phys., 76, 1029 (1994)
- C.H. Goo, W.S. Lau, T.C. Chong, L.S. Tan. Appl. Phys. Lett., 69, 2543 (1996)
- T.C. Lin, T. Okumura. Jpn. J. Appl. Phys., 1630 (1996)
- S. Hong. R. Reifenberger, D.B. Janes, D. McInturff, J.M. Woodal. Appl. Phys. Lett., 68, 2258 (1996)
- J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, S. Eichler, M. Luysberg, H. Sohn, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 71, 638 (1997)
- P.N. Brounkov, N.N. Faleev, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, A.F. Tsatsul'nikov, V.M. Maximov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, S.G. Konnikov. Inst. Phys. Conf. Ser. 155 (IOP, Bristol, 1997) p. 841
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
