"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Аккумуляция электронов в слоях GaAs, выращенных при низкой температуре и содержащих кластеры мышьяка
Брунков П.Н.1, Чалдышев В.В.1, Берт Н.А.1, Суворова А.А.1, Конников С.Г.1, Черниговский А.В.2, Преображенский В.В.3, Путято М.А.3, Семягин Б.Р.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Птербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Методом емкостной спектроскопии исследованы свойства барьеров Шоттки Au/GaAs на структурах, в которых тонкий слой арсенида галлия, выращенный при низкой температуре (LT-GaAs) и содержащий кластеры As, был вставлен между двумя однородно легированными слоями n-GaAs, выращенными при стандартных температурах. Обнаружена аккумуляция элктронов в слое LT-GaAs, которая сопровождается образованием областей обеднения в прилегающих слоях n-GaAs. Эмиссия электронов из LT-GaAs при 300 K приводит к появлению протяженного плато на зависимости емкости от напряжения. Установлено, что наличие слоя LT-GaAs толщиной 0.1 мкм, вставленного между гораздо более толстыми слоями n-GaAs, приводит к увеличению напряжения электрического пробоя до 230 кВ/см, что значительно превышает величины, характерные для стандартных структур Au/n-GaAs.
  1. F.W. Smith, A.R. Calawa, C.L. Chen, M.J. Mantra, L.J. Mahoney. Electron. Dev. Lett., 9, 77 (1988)
  2. M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, T. George, J.B. Kortright, F.W. Smith, B.Y. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1831 (1989)
  3. M.R. Melloch, K. Mahalingam, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren. J. Cryst. Growth., 111, 39 (1991).
  4. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощанов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993).
  5. J.K. Luo, H. Thomas, D.V. Morgan, D. Westwood, R.H. Williams. Semicond. Sci. Technol., 9, 2199 (1994)
  6. P. Blood. Semicond. Sci. Technol., 1, 7 (1986)
  7. E.R. Brown, K.A. McIntosh, K.B. Nichols, C.L. Dennis. Appl. Phys. Lett., 66, 285 (1995).
  8. П.Н. Брунков, С.Г. Конников, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Максимов, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев. ФТП, 30, 924 (1996)
  9. P.N. Brounkov, T. Benyattou, G. Guillot. J. Appl. Phys., 80, 864 (1996)
  10. K. Kreher. Phys. St. Sol. A, 135, 597 (1993)
  11. D.C. Look, D.C. Walters, M.O. Manasreh, J.R. Sizelove, C.E. Stutz, K.R. Evans. Phys. Rev., B, 42, 3578. (1990)
  12. H. Fujioka, E.R. Weber, A.K. Verma. Appl. Phys. Lett., 66, 2834 (1995)
  13. D.C. Look, Z.Q. Fang, H. Yamamoto, J.R. Sizelove, M.G. Mier, E. Stutz. J. Appl. Phys., 76, 1029 (1994)
  14. C.H. Goo, W.S. Lau, T.C. Chong, L.S. Tan. Appl. Phys. Lett., 69, 2543 (1996)
  15. T.C. Lin, T. Okumura. Jpn. J. Appl. Phys., 1630 (1996)
  16. S. Hong. R. Reifenberger, D.B. Janes, D. McInturff, J.M. Woodal. Appl. Phys. Lett., 68, 2258 (1996)
  17. J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, S. Eichler, M. Luysberg, H. Sohn, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 71, 638 (1997)
  18. P.N. Brounkov, N.N. Faleev, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, A.F. Tsatsul'nikov, V.M. Maximov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, S.G. Konnikov. Inst. Phys. Conf. Ser. 155 (IOP, Bristol, 1997) p. 841

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.