Вышедшие номера
Аккумуляция электронов в слоях GaAs, выращенных при низкой температуре и содержащих кластеры мышьяка
Брунков П.Н.1, Чалдышев В.В.1, Берт Н.А.1, Суворова А.А.1, Конников С.Г.1, Черниговский А.В.2, Преображенский В.В.3, Путято М.А.3, Семягин Б.Р.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Птербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Методом емкостной спектроскопии исследованы свойства барьеров Шоттки Au/GaAs на структурах, в которых тонкий слой арсенида галлия, выращенный при низкой температуре (LT-GaAs) и содержащий кластеры As, был вставлен между двумя однородно легированными слоями n-GaAs, выращенными при стандартных температурах. Обнаружена аккумуляция элктронов в слое LT-GaAs, которая сопровождается образованием областей обеднения в прилегающих слоях n-GaAs. Эмиссия электронов из LT-GaAs при 300 K приводит к появлению протяженного плато на зависимости емкости от напряжения. Установлено, что наличие слоя LT-GaAs толщиной 0.1 мкм, вставленного между гораздо более толстыми слоями n-GaAs, приводит к увеличению напряжения электрического пробоя до 230 кВ/см, что значительно превышает величины, характерные для стандартных структур Au/n-GaAs.