Исследование тонких пленок GaN, подвергнутых кратковременному высокотемпературному отжигу
Кацавец Н.И., Laws G.M.1, Harrison I.1, Larkins E.C.1, Benson T.M.1, Cheng T.S.2, Foxon C.T.2
1Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, England
2Department of Physics, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, England
Поступила в редакцию: 11 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.
Проведены детальные исследования влияния кратковременного высокотемпературного отжига в атмосфере азота и аргона на свойства тонких пленок GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на сапфировых подложках. Обнаружено улучшение кристаллического качества таких пленок после отжига. Низкотемпературные измерения фотолюминесценции показали существенное увеличение примесной рекомбинации вблизи края фундаментального поглощения после кратковременного высокотемпературного отжига в азотной атмосфере. Значительное уменьшение примесной фотолюминесценции наблюдалось после отжига пленок GaN с защитными слоями SiO2.
- S. Stripe, H. Mocros. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1237 (1992)
- H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, I. Akasaki. Japan. J. Appl. Phys., 28, L2112 (1989)
- S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, N. Iwasa. Japan. J. Appl. Phys., 31, L139 (1992)
- M.A. Khan, Q. Chen, R.A. Skogman, J.N. Kuznia. Appl. Phys. Lett., 66, 2046 (1995)
- J.C. Zolper, M.H. Crawford, A.J. Howard, J. Rames, S.D. Hersee. Appl. Phys. Lett., 68, 200 (1996)
- J.C. Zolper, H.H. Tan, J.S. Williams, J. Zou, D.J. Cockayne, S.J. Pearton M.H. Crawford, R.E. Karlicek. Appl. Phys. Lett., 70, 2729 (1997)
- T.S. Cheng, L.C. Jenkins, S.E. Hooper, C.T. Foxon, J.W. Orton, D.E. Lacklison. Appl. Phys. Lett., 66, 1509 (1995)
- F.A. Ponce. MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, 2, 51 (1997)
- J. Mennger, U. Jahn, O. Brandt, H. Yang, K. Ploog. Phys. Rev. B, 53, 1881 (1996)
- E.I. Rashba, M.D. Sturge. Excitons (Amsterdam, North-Holland Publishing Company, 1981) p. 865
- S.J. Rosher, E.G. Carr, M.J. Ludwise, G. Girolami, M.I. Ericson. Appl. Phys. Lett., 70, 420 (1997)
- B.C. Chung, M. Gershenzon. J. Appl. Phys., 72, 651 (1992)
- A.V. Andrianov, D.E. Lacklison, J.W. Orton, D.J. Dewshir, S.E. Hooper, C.T. Foxon. Semicond. Sci. Technol., 11, 366 (1996)
- R. Dingle, D.D. Sell, S.E. Stokowski, M. Ilegems. Phys. Rev. B, 4, 1211 (1971)
- R. Dingle, M. Ilegems. Sol. St. Commun., 9, 175 (1971)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук