Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1998, выпуск 10 » Статья стр. 1161
<<<>>>
Сверхрешетка кластеров мышьяка в арсениде галлия, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре
Чалдышев В.В.1, Берт Н.А.2, Куницын А.Е.2, Мусихин Ю.Г.2, Преображенский В.В.1, Путято М.А.1, Семягин Б.Р.1, Третьяков В.В.2, Werner P.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Max-Planck-Institute of Microstructure Physics, Halle, Germany
Поступила в редакцию: 27 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.
PDF версия
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии при 200oC выращена сверхрешетка InAs/GaAs, содержащая 30 delta-слоев InAs, номинальной толщиной 1 монослой, разделенных слоями GaAs толщиной 30 нм. Установлено, что концентрация избыточного мышьяка в такой сверхрешетке составляет 0.9· 1020 см-3. Отжиг образцов при 500 и 600oC в течение 15 мин привел к преципитации избыточного мышьяка преимущественно на delta-слоях InAs. В результате была получена сверхрешетка двумерных слоев наноразмерных кластеров As, пространственно совпадающая со сверхрешеткой delta-слоев InAs в матрице GaAs.
  1. F.W. Smith, A.R. Calawa, C.L. Chen, M.J. Mantra, L.J. Mahoney. Electron. Dev. Lett., 9, 77 (1988)
  2. M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright, F.W. Smith, B.Y. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1831 (1989)
  3. M.R. Melloch, K. Mahalingam, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren. J. Cryst. Growth, 111, 39 (1991).
  4. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  5. J.K. Luo, H. Thomas, D.V. Morgan, D. Westwood, R.H. Williams. Semicond. Sci. Technol., 9, 2199 (1994)
  6. T.M. Cheng, C.V. Chang, A. Chin, M.F. Huang, J.H. Huang. Appl. Phys. Lett., 64, 2517 (1994)
  7. Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин. ФТП, 29, 2232 (1995)
  8. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, N.N. Faleev, A.E. Kunitsyn, D.I. Lubyshev, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, V.V. Tret'yakov. Semicond. Sci. Technol., 12, 51 (1997).
  9. X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
  10. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.E. Kunitsyn, Yu.G. Musihin, N.N. Faleev, V.V. Tret'yakov, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Appl. Phys. Lett., 70, 3146 (1997).
  11. В.В. Чалдышев, А.Е. Куницын, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, Н.Н. Фалеев. ФТП, 32, 778 (1998)
  12. Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, А.А. Суворова, В.В. Чалдышев, Н.Н. Фалеев, P. Werner. ФТП, 32, 769 (1998)
  13. Н.Н. Фалеев, В.В. Чалдышев, А.Е. Куницын, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков. ФТП, 32, 24 (1998).
  14. M. Martin. Appl. Phys. Lett., 39, 747 (1981)
  15. V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Mater. Sci. Eng. A, 238, 148 (1997).
  16. И.М. Лифшиц, В.В. Слезов. ЖЭТФ, 35, 479 (1958)
  17. Z. Liliental-Weber, A. Claverie, J. Washburn, F. Smith, R. Calawa. Appl. Phys. A, 53, 141 (1991)
  18. Н.А. Берт, В.В. Чалдышев. ФТП, 30, 1889 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme