"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурная зависимость обратного тока в диодах с барьером Шоттки
Пипинис П.А.1, Римейка А.К.1, Лапейка В.А.1
1Вильнюсский педагогический университет, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 16 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

Измерены температурные зависимости тока I при напряжениях обратного смещения структур Al--SiO2-n-Si, Al--SiO2-n-GaAs и Al--n-GaAs (с собственным окислом). Установлено, что общим свойством этих зависимостей является уменьшение энергии термической активации с увеличением приложенного напряжения и отклонение этих зависимостей от прямой, изображенных в координатах ln I от 1/T, наблюдаемое при более высоких напряжениях. Результаты объясняются на основе того, что ток через барьер обусловливается туннелированием электронов из поверхностных состояний в зону проводимости полупроводника. Из сопоставления результатов опыта с теорией туннелирования, в которой учтено влияние фононов решетки полупроводника на вероятность туннелирования, даны оценки напряженности поля в барьере Шоттки и поверхностной плотности электронных состояний в граничном слое полупроводника.
  1. M.S. Tyagi. Metal-semiconductor Schottky Barrier junctions and their applications, ed. by P.L. Sharma (N.Y., 1984)
  2. C.P. Crowel, S.M. Sze. Sol. St. Electron., 9, 1035 (1966)
  3. F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
  4. C.P. Crowel, V.L. Rideout. Sol. St. Electron., 12, 89 (1969)
  5. K. Maeda, I. Umzu, H. Ikoma, T. Yoshimura. J. Appl. Phys., 68, 2858 (1990)
  6. A. Singh, P. Cova. J. Appl. Phys., 74, 2336 (1994)
  7. А.Н. Король. ФТП, 14, 1180 (1980)
  8. Ю.А. Гольдберг, Т.В. Львова. ФТП, 15, 2339 (1981)
  9. А.В. Чаплик, М.В. Энтин. ЖЭТФ, 67, 208 (1974)
  10. C.Y.Wu. J. Appl. Phys., 53, 5947 (1982)
  11. B. Barus, D. Donoval. Sol. St. Electron., 36, 969 (1993)
  12. R. Brazis, P. Pipinys, A. Rimeika, L. Gegznaite. Sol. St. Commun., 55, 25 (1985)
  13. Ф.И. Далидчик. ЖЭТФ, 74, 472 (1978)
  14. M. Lenzlinger, E.H. Snow. J. Appl. Phys., 40, 278 (1969)
  15. J.M. Gibson, D.W. Dong. J. Electrochem. Soc., 127, 27 212 (1980)
  16. С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, О.В. Снитко, О.С. Фролов. Микроэлектроника, 13, 239 (1984)
  17. S.J. Fonash, S. Ashok. Sol. St. Electron., 24, 427 (1981)
  18. A. Rothwarf, I. Pereyra. Sol. St. Electron., 24, 1067 (1981)
  19. P. Chattopadhyay, A.N. Daw. Sol. St. Electron., 29, 555 (1986)
  20. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 30, 1231 (1996)
  21. Р.Р. Литовский, В.С. Лысенко, А.Н. Назаров, Т.Е. Руденко. Микроэлектроника, 16, 427 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.