Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние условий получения и отжига на оптические свойства аморфного кремния

Машин А.И.¹, Ершов А.В.¹, Хохлов Д.А.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 1 декабря 1997 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

PDF версия

Представлены спектральные характеристики показателя преломления и коэффициента экстинкции в диапазоне 0.6/2.0 эВ пленок аморфного кремния, полученных электронно-лучевым испарением при вариации температуры подложки, скорости напыления и температуры отжига на воздухе. Полученные результаты обсуждаются на основе изменений энергетической зоны Пенна в зависимости от указанных условий получения и обработки.

А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991) с. 670. [Пер. с англ.: A. Madan, M. Shaw. The Physiсs and Applications of Amorphous Semiconductors (Boston--San Diego--N.Y.--London--Sydney--Tokyo--Toronto, Academic Press, 1988)]
K. Hamada, M. Wada, H. Shimizu, M. Kume, F. Susa, T. Shibutani, N. Yoshikawa, K. Itoh, G. Kano, I. Teramoto. IEEE J. Quant. Electron., QE-21, 623 (1985)
А.В. Ершов, Н.Б. Звонков, А.И. Машин, Д.А. Хохлов. В кн.: Материалы рос. конф. "Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов" (Н. Новгород, ННГУ, 1996) с. 28
А.В. Ершов, А.И. Машин, А.Ф. Хохлов. Высокочистые вещества, 2, 35 (1995)
А.С. Валеев. Опт. и спектр., 15, 500 (1963)
M.H. Brodsky, R.S. Title, K. Weiser, G.D. Pettit. Phys. Rev., B1, 2632 (1970)
D.R. Penn. Phys. Rev., 128, 2093 (1962)
Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып. 2. Электронные и колебательные свойства, под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски (М., Мир, 1988) с. 447 [Пер. с англ.: The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II. Electronic and Vibrational Properties, ed. by J.D. Joannopoulos and G. Lucovsky (Berlin-Heidelberg--N.Y.--Tokyo, Springer Verlag, 1984)]
N.J. Shevchik, W. Paul. J. Non-Cryst. Sol., 16, 55 (1974)
J.C. Philips. Phys. St. Sol. (b), 44, K1 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель