Использование твердофазного прямого сращивания кремния для формирования структур солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами
Воронков В.Б.1, Гук Е.Г.1, Козлов В.А.1, Шварц М.З.1, Шуман В.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.
Разработана технология многопереходных кремниевых солнечных элементов, основанная на ионной имплантации и твердофазном прямом сращивании p+-p-n+-структур. Внутренний квантовый выход таких структур близок к единице в интервале длин волн 350/900 нм.
- А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы. Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987) с. 182
- Е.Г. Гук, Н.С. Зимогорова, М.З. Шварц, В.Б. Шуман. ЖТФ, 67 (2), 129 (1997)
- Е.Г. Гук, Т.А. Налет, М.З. Шварц, В.Б. Шуман. ФТП, 31 (7), 855 (1997)
- J.B. Lasky. Appl. Phys. Lett., 48 (1), 78 (1986)
- F. Fujino, M. Matsui, T. Hattori, Y. Hamakawa. Jap. J. Appl. Phys., 34, 1322 (1995)
- I.V. Grekhov, V.A. Kozlov, V.A. Volle, V.B. Voronkov. In: Best of Soviet Semicond. Phys. and Technol. 1989--1990, ed. by M. Levinstein and M. Shur (World, Scientific, 1995) p. 597
- D. Lax, S.F. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
- J. Zhao, M.A. Green. Trans. El. Rev., ED-38 (8), 1925 (1991)
- K. Morita, T. Saitch, T. Uematsu, Y. Kida, S. Kokunai, K. Matsukuma. Jap. J. Appl. Phys., P. 2. Letters, 26 (5), L547 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
