Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Использование твердофазного прямого сращивания кремния для формирования структур солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами

Воронков В.Б.¹, Гук Е.Г.¹, Козлов В.А.¹, Шварц М.З.¹, Шуман В.Б.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 9 декабря 1997 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Разработана технология многопереходных кремниевых солнечных элементов, основанная на ионной имплантации и твердофазном прямом сращивании p⁺-p-n⁺-структур. Внутренний квантовый выход таких структур близок к единице в интервале длин волн 350/900 нм.

А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы. Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987) с. 182
Е.Г. Гук, Н.С. Зимогорова, М.З. Шварц, В.Б. Шуман. ЖТФ, 67 (2), 129 (1997)
Е.Г. Гук, Т.А. Налет, М.З. Шварц, В.Б. Шуман. ФТП, 31 (7), 855 (1997)
J.B. Lasky. Appl. Phys. Lett., 48 (1), 78 (1986)
F. Fujino, M. Matsui, T. Hattori, Y. Hamakawa. Jap. J. Appl. Phys., 34, 1322 (1995)
I.V. Grekhov, V.A. Kozlov, V.A. Volle, V.B. Voronkov. In: Best of Soviet Semicond. Phys. and Technol. 1989--1990, ed. by M. Levinstein and M. Shur (World, Scientific, 1995) p. 597
D. Lax, S.F. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
J. Zhao, M.A. Green. Trans. El. Rev., ED-38 (8), 1925 (1991)
K. Morita, T. Saitch, T. Uematsu, Y. Kida, S. Kokunai, K. Matsukuma. Jap. J. Appl. Phys., P. 2. Letters, 26 (5), L547 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель