"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Импульсные исследования диодных структур на основе кремний-водородных пленок
Белов С.В.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

В представленной работе исследовались диодные структуры Me-кремний-водородная пленка-Si. Основные особенности проведенных измерений состоят в том, что, во-первых, использована методика сдвоенных импульсов напряжения прикладываемых к образцу и, во-вторых, измерения проведены в температурном диапазоне от 294 K до 334 K. Сопоставление полученных результатов с данными предыдущей работы позволило сделать достоверные оценки основных характеристик кремний-водородных пленок, таких как дрейфовая подвижность, концентрация ловушек, их энергия ионизации, сечение захвата носителей тока.
  1. R.W. Fathauer, T. George, A. Ksendsov, R.P. Vasquez. Appl. Phys. Lett., 60, 995 (1992)
  2. С.В. Белов. Письма ЖТФ, 18, вып. 24, 16 (1992)
  3. Е.В. Астрова, С.В. Белов, О.А. Зайцев, А.А. Лебедев. Письма ЖТФ, 19, вып. 24, 50 (1993)
  4. Е.В. Астрова, С.В. Белов, А.А. Лебедев. ФТП, 28, 332 (1994)
  5. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  6. С.В. Белов, О.А. Зайцев, А.А. Лебедев. Письма ЖТФ, 21, вып. 3, 30 (1995)
  7. Л.М. Капитонова, А.А. Лебедев, Н.А. Султанов. ФТП, 4, 1130 (1970)
  8. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.