Вышедшие номера
Эксклюзия и аккумуляция носителей заряда, усиленные омическим контактом
Малютенко В.К.1, Тесленко Г.И.1, Вайнберг В.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 29 августа 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Теоретически и экспериментально исследовано влияние высокой генерационно-рекомбинационной способности омического контакта (S-контакт) на процессы эксклюзии-аккумуляции в структурах с антизапорным контактом (асимметричных структурах типа p+-p-S). Показано, что в отличие от традиционно исследуемой симметричной структуры p+-p-p+ в рассматриваемой структуре в зависимости от направления тока формируется либо область аккумуляции, либо область эксклюзии. Концентрация неравновесных носителей в слое аккумуляции оказывается значительно выше, а эксклюзионная область длиннее, чем в симметричной структуре. Для Ge при 300 K экспериментально получено 100-кратное превышение концентрации n по отношению к равновесному значению n0. Протяженность эксклюзионной области достигала 96% длины образца. Предложены области применения структур с антизапорным и омическим контактами на базе узкозонных материалов.
  1. V.K. Malyutenko. Semicond. Sci. Technol., 8, S390 (1993)
  2. А.Г. Коллюх, В.К. Малютенко, А.М. Рыбак. ЖПС, 50, 801 (1989)
  3. T. Ashley, G.T. Elliot. Elecrton. Lett., 21, 451 (1985)
  4. С.С. Болгов, Б.Р. Варданян, В.К. Малютенко, В.И. Пипа, А.П. Савченко, А.Е. Юнович. ФТП, 28, 658 (1994)
  5. А.А. Акопян, С.А. Витусевич, В.К. Малютенко. ФТП, 28, 21 (1994)
  6. А.А. Акопян, В.К. Малютенко, Г.И. Тесленко. ФТП, 28, 1479 (1994)
  7. A.M. White. Infr. Phys., 25, 729 (1985)
  8. P. Berdahl. Sol. Energy Mater., 14, 437 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.