Сопоставлены коротковолновые (400/ 700 нм) спектры фотолюминесценции (ФЛ) слоев SiO₂, имплантированных ионами Si⁺, Ge⁺ и Ar⁺ в интервале доз 3.2· 10¹⁶/ 1.2· 10¹⁷ см^-2. После имплантации ионов Ar⁺ наблюдалось крайне слабое свечение, полностью исчезающее после отжигов 400^oC, 30 мин или 1050^oC, 20 мс. После имплантации элементов IV группы интенсивности люминесценции были на 1-2 порядка выше, причем она не только сохранялась при отжигах, но и могла расти. Зависимости свечения от дозы и нагревов показывают, что оно обусловлено формированием примесных кластеров и этот процесс носит скорее перколяционный, чем диффузионный характер. Для обеих примесей IV группы сразу после имплантации наблюдались интенсивная синяя полоса и более слабая - в оранжевой части спектра. Соотношение энергий возбуждения и излучения синей люминесценции характерно для вакансий кислорода в SiO₂, свойства которых определяются прямым взаимодействием атомов IV группы. На этом основании считается, что центрами синей ФЛ являются погруженные в SiO₂ цепочки атомов Si (или Ge). Оранжевое свечение после отжигов сохранялось только в случае имплантации ионов Si⁺. Оно связывается непосредственно с нефазовыми выделениями Si в виде сильно развитых кластеров нанометрового размера.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.