Вышедшие номера
О процессах захвата неосновных носителей тока в CdxHg1-xTe n-типа при низких температурах
Гасан-заде С.Г.1, Шепельский Г.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 2 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

В кристаллах CdxHg1-xTe n-типа измерены фотопроводимость и фотоэлектромагнитный эффект в условиях однооосной упругой деформации. Показано, что рост времени жизни носителей тока в низкотемпературном диапазоне (T<40-50 K) связан не с межзонной оже-рекомбинацией, а с захватом неосновных носителей тока - дырок на мелкие уровни прилипания акцепторного типа.