О процессах захвата неосновных носителей тока в CdxHg1-xTe n-типа при низких температурах
Гасан-заде С.Г.1, Шепельский Г.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 2 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.
В кристаллах CdxHg1-xTe n-типа измерены фотопроводимость и фотоэлектромагнитный эффект в условиях однооосной упругой деформации. Показано, что рост времени жизни носителей тока в низкотемпературном диапазоне (T<40-50 K) связан не с межзонной оже-рекомбинацией, а с захватом неосновных носителей тока - дырок на мелкие уровни прилипания акцепторного типа.
- Н.С. Барышев, Б.Л. Гельмонт, М.И. Ибрагимова. ФТП, 24, 209 (1990)
- I. Calas, I. Allegre. Phys. St. Sol. (b), 112, 179 (1982)
- R.R. Gerhards, R. Dornhaus, G. Nimtz. Sol. St. Electron., 21, 1467 (1978)
- Н.Л. Баженов, Б.Л. Гельмонт, В.И. Иванов-Омский, А.А. Малькова, В.К. Огородников, Т.У. Тотиева. ФТП, 16, 109 (1982)
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., 1972)
- А.В. Германенко, Г.М. Миньков, В.Л. Румянцев, О.Э. Рут, О.В. Инишева. ФТП, 23, 796 (1989)
- Ф.Т. Васько, С.Г. Гасан-заде, М.В. Стриха, Г.А. Шепельский. Письма ЖЭТФ, 50, 287 (1989)
- С.Г. Гасан-заде, Г.А. Шепельский. ФТП, 27, 1326 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук