"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности процесса дефектообразования в Pb1-xSnxSe (x =< 0.06)
Вейс А.Н.1, Суворова Н.А.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения в нелегированном p-Pb1-xSnxSe (x=0.00/ 0.06) при T=300 K. Во всех исследованных образцах выявлен квазилокальный уровень, связанный с вакансией халькогена. Показано, что концентрация вакансий халькогена заметно различается в образцах с оловом и без олова и возрастает при увеличении x. Обсуждается природа этого явления.
  1. Л.В. Прокофьева, М.Н. Виноградова, С.В. Зарубо. ФТП, 14, 2201 (1980)
  2. Л.В. Прокофьева, Е.А. Гуриева, К.Г. Гарцман, Ш.М. Жумаксанов, С.В. Зарубо, Х.Р. Майлина, К.Т. Уразбаева. Препринт N 1049, ФТИ им.А.Ф. Иоффе РАН (Л., 1986)
  3. Ю.А. Дегтярев, П.П. Константинов, Х.Р. Майлина, Л.В. Прокофьева. ФТП, 23, 1576 (1989)
  4. Л.В. Прокофьева, С.В. Зарубо, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин. Письма ЖЭТФ, 33, 14 (1981)
  5. Ф.С. Насрединов, Л.В. Прокофьева, П.П. Серегин, ЖЭТФ, 87, 951 (1984)
  6. А.Н. Вейс, Н.А. Суворова. ФТП, 29, 278 (1995)
  7. А.Н. Вейс, Е.А. Гуриева, О.Г. Нефедов, Л.В. Прокофьева. ФТП, 18, 1723 (1984)
  8. Г.Т. Алексеева, Е.А. Гуриева, П.П. Константинов, Н.В. Максимова, Л.В. Прокофьева. ФТП, 29, 1388 (1995)
  9. А.Н. Вейс, Н.А. Суворова. ФТП, 30, 2089 (1996)
  10. Л.И. Бытенский, В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 14, 74 (1980)
  11. Т.Г. Поташевская, Н.С. Целищева. Тр. ЛПИ, 325, 111 (1971)
  12. А.Н. Вейс, Р.Ф. Кутейников, С.А. Кумзеров, Ю.И. Уханов. ФТП, 10, 2218 (1976)
  13. А.Н. Вейс, А.Ю. Рыданов, Н.А. Суворова. ФТП, 27, 701 (1993)
  14. А.Н. Вейс. ДАН СССР, 289, 1355 (1986)
  15. А.Н. Вейс, Ю.И. Уханов. ФТП, 10, 1315 (1976)
  16. И.А. Драбкин, Ю.Я. Елисеева, Г.Ф. Захарюгина, И.В. Нельсон, Ю.И. Равич. ФТП 8, 1947 (1974)
  17. G. Nimtz, B. Schliht. Narrow Gap Semiconductors (Springer Verlag, Berlin e. a., 1983) v. 98, p. 1
  18. H. Heinrich. Proc. Int. Summer School on Narrow Gap Semicond. Physics and Applications (Nimes, France, 1979; Springer Verlag, Berlin, 1980) p. 407
  19. Г.А. Калюжная, К.В. Киселева. Тр. ФИАН, 177, 5 (1987)
  20. N.J. Panda, G.W. Pratt. Phys. Rev. Lett., 22, 180 (1969)
  21. Б.А. Волков, О.А. Панкратов. ЖЭТФ, 88, 280 (1985)
  22. Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шелимова. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI (М., Наука, 1975)
  23. R.F. Brebrick. J. Phys. Chem. Sol., 18, 116 (1961)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.