Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GaInAsSb, GaAlSb, GaAlAsSb) в зависимости от состава

Воронина Т.И.¹, Джуртанов Б.Е.¹, Лагунова Т.С.¹, Сиповская М.А.¹, Шерстнев В.В.¹, Яковлев Ю.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 6 августа 1997 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

PDF версия

Исследованы электрофизические свойства GaSb и твердых растворов на его основе GaInAsSb, GaAlSb, GaAlAsSb. Показано, что концентрация носителей тока и подвижность во всех этих материалах в основном определяется структурными дефектами V_GaGa_Sb, концентрация которых практически линейно уменьшается с уменьшением содержания GaSb в твердых растворах. Выявлена зависимость параметров твердых растворов от концентрации этих структурных дефектов. Показана возможность уменьшения их концентрации путем использования нейтрального растворителя Pb и редкоземельных элементов.

Н.Т. Баграев, А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Ю.Н. Толпаров, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 11, вып. 2, 117 (1985)
А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, И.Н. Тимченко, З.И. Чугуева, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 23, 780 (1989)
А.Н. Баранов, А.Н. Дахно, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24, 98 (1990)
А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, А.Н. Дахно, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24, 1072 (1990)
Т.И. Воронина, А.Н. Дахно, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24, 1072 (1990)
Т.И. Воронина, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 28, 2001 (1994)
D.E. Effer, P.J. Effer. J. Phys. Chem. Sol., 25, 451 (1964)
Kenshiro Nakashima. Jap. J. Appl. Phys., 20, 1085 (1981)
T.C. De Winter, M.A. Pollack, A.K. Strivastava, J.L. Zuskind. J. Electron. Mater., 4, 729 (1985)
П.Г. Елисеев. Электрон. промышленность, вып. 8, 49 (1980)
А.Н. Баранов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 20, 2217 (1986)
А.С. Кюрегян, И.К. Лазарева, В.М. Стучебников, А.Э. Юнович. ФТП, 6, 242 (1972)
А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Н.С. Зимогорова, Л.М. Канская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 19, 1672 (1985)
M.H. Cohen. Phys. Rev. Lett., 30, 694 (1973)
А.Н. Баранова. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель