Вышедшие номера
Фазочувствительный анализ спектров фотоотражений n-GaAs
Ганжа А.В.1,2, Кирхер В.2, Кузьменко Р.В.1,2, Шрайбер Й.2, Хильдебрандт Ш.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Fachbereich Physik der Martin--Luther--Universitat Halle--Wittenberg, Halle (Saale), Германия
Поступила в редакцию: 8 января 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

При помощи двухканальной фазочувствительной усилительной техники была исследована фазовая зависимость спектров фотоотражения на E0 переходах для различных образцов GaAs. В результате анализа формы спектров были выделены их спектральные составляющие и установлены их фазы. Для наблюдавшихся однокомпонентных и многокомпонентных спектров фотоотражения были получены временные постоянные, описывающие динамику сигнала фотоотражения. Временная зависимость сигнала фотоотражения Delta R/Rj~ ±exp(-t/tauj) была связана с замедленной реакцией электрического поля в области поверхности или границы раздела полупроводника на фотомодуляцию.