"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Низкочастотный шум в n-GaN
Дьяконова Н.В.1, Левинштейн М.Е.1, Contreras S.2, Knap W.2, Beaumont B.3, Gibart P.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2G.E.S., UMR-CNRS, cc074, Universite Montpellier II, Place Eugene Bataillon, Montpellier, France
3CRHEA, rue Bernard Gregory, Valbonne, France
Поступила в редакцию: 9 сентября 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

Низкочастотный шум исследован в гексагональном нитриде галлия (GaN) n-типа проводимости с равновесной концентрацией электронов при 300 K n0=7·1017 см-3. Частотные и температурные зависимости спектральной плотности шума SI/I2 исследованы в диапазоне частот анализа 20 Гц<f<20 кГц в области температур 80<T<400 K. Во всем исследованном диапазоне температур темновой шум близок к зависимости SI/I2~1/f (фликкер-шум). Уровень шума слабо зависит от температуры и характеризуется весьма высоким значениям постоянной Хоуге alpha~=5/7, что указывает на низкий уровень структурного совершенства материала. Впервые исследовано влияние инфракрасной и зона-зонной подсветки на низкочастотный шум в GaN. Фотоны с энергией Eph<Eg (Eg - ширина запрещенной зоны) не влияют на низкочастотный шум даже при сравнительно высоком уровне фотопроводимости Deltasigma/sigma~=0.5. Зона-зонная подсветка (Eph>Eg) влияет на уровень низкочастотного шума во всей исследованной области температур. При сравнительно высокой температуре характер влияния подсветки качественно сходен с влиянием зона-зонной подсветки на низкочастотный шум в Si и GaAs. При относительно низких температурах характер влияния подсветки на шум в GaN качественно отличается от данных, полученных ранее для Si и GaAs.
  1. S.J. Pearton, C. Kuo. MRS Bulletin (February, 1997) p. 17
  2. S. Nakamura. MRS Bulletin (February, 1997) p. 29
  3. M.S. Shur, M.A. Khan. MRS Bulletin (February, 1997) p. 44
  4. M.A. Littlejohn, J.R. Hauser, T.H. Glisson. Appl. Phys. Lett., 26, 625 (1975)
  5. B. Gelmont, K.S. Kim, M. Shur. J. Appl. Phys., 74, 1818 (1993)
  6. M.A. Khan, M.S. Shur, J.N. Kuznia, J. Burn, W. Shaff. Appl. Phys. Lett., 66, 283 (1995)
  7. L.K.J. Vandamme, S. Oosterhoff. J. Appl. Phys., 59. 3169 (1986)
  8. Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. ФТП, 25, 2065 (1991)
  9. L.K.J. Vandamme. IEEE Trans. Electron. Dev., 41, 2176 (1994)
  10. D. Ursutiu, B.K. Jones. Semicond. Sci. Technol., 11, 1133 (1996)
  11. F.A. Ponce. MRS Bulletin (February, 1997) p. 51
  12. D.B. Ingerly, J.A. Chang, N.R. Perkins, T.F. Kuech. Appl. Phys. Lett., 70, 108 (1996)
  13. D.K. Gaskill, L.B. Rowland, K. Doverprike. In: Properties of Group III Nitrides, ed. by J.H. Edgar [EMIS Datareviews ser. (INSPEC publication, 1994) N 11]
  14. Ю.А. Гольдберг. ФТП, 28, 1681 (1994)
  15. R.D. Black, M.B. Weissman, P.J. Restle. Appl. Phys. Lett., 53, 6280 (1982)
  16. R.F. Voss, J. Clark. Phys. Rev. B, 13, 556 (1976)
  17. F.N. Hooge, T.G.M. Kleinpenning, L.K.J. Vandamme. Rep. Progr. Phys., 44, 479 (1981)
  18. F.N. Hooge, M. Tacano. Physica B, 190, 145 (1993)
  19. S. Tehrani, L.L. Hench, C.M. Van Vliet, G.S. Bosman. J. Appl. Phys., 58, 1571 (1985)
  20. J.V. Palmour, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, G.S. Simin. Appl. Phys. Lett., 68, 2669 (1996)
  21. H.C. Casey, D.D. Sell, K.W. Weight. J. Appl. Phys., 46, 250 (1975)
  22. O. Ambacher, W. Rieger, M. Stutzman. Abstract Book Topical Workshop on III--V Nitrides (Nagoya, Sept., 1995) p. F-5
  23. Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн. ФТП, 23, 283 (1989)
  24. Н.В. Дьяконова. ФТП, 25, 358 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.