Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов

Андреев А.Н.¹, Растегаева М.Г.¹, Растегаев В.П.¹, Решанов С.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 17 декабря 1997 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

PDF версия

Предложена разновидность конфигурации контактных площадок с радиальной геометрией, имеющая ряд преимуществ при определении переходного сопротивления омических контактов (rho_c) изготовленных к подложкам и слоям полупроводника с высокой проводимостью. Рассмотрены различные варианты ее применения как в методе TLM, так и в методе, основанном на численном расчете сопротивления полупроводника с учетом эффекта растекания. Показано, что методы, основанные на использовании TLM, позволяют получить оценку "сверху" величины удельного переходного сопротивления омических контактов в подложкам, а также проведены расчеты возникающей при этом погрешности в зависимости от параметров полупроводника и контакта. Такая оценка является хорошим начальным приближением при определении точного значения rho_c посредством численных расчетов сопротивления полупроводника. Полученные результаты использованы при исследовании удельного сопротивления омических контактов, изготовленных на основе никеля к подложкам n-6H-SiC.

В.Я. Нисков. ПТЭ, 1, 235 (1971)
H.H. Berger. Sol. St. Electron., 15, 145 (1972)
G. Boberg, L. Stolt, P.A. Tove, H. Norde. Physica Scripta, 24, 405 (1981)
G.K. Reeves. Sol. St. Electron., 23, 487 (1980)
G.S. Martow, M.B. Das. Sol. St. Electron., 25, 91 (1982)
J.S. Chen, A. Bashli, M.-A. Nicolet, L. Baud, C. Jaussaud, R. Madar. Mater. Sci. Engin., B, 29, 185 (1995)
L.K. Mak, C.M. Rogers, D.C. Northrop. J. Phys. E: Sci. Instrum., 22, 317 (1989)
Ю.Д. Чистяков, В.В. Баранов, А.П. Достанко. Обзоры по электронной технике. Сер.: Полупроводниковые приборы (М., Изд-во ЦНИИ "Электроника", 1973) вып. 7 (143)
А.М. Стрельчук, Б.Н. Грессеров. Письма ЖТФ, 22, 1 (1996)
V. Rastegaev, S. Reshanov, A. Andreev, M. Rastegaeva. Trans. of the Third Int. High Temperature Conference (USA, 1996) p. 149
И.Н. Бронштейн, К.А. Семендяев. Справочник по математике (М., Наука, 1980)
M.G. Rastegaeva, A.N. Andreev, V.V. Zelenin, A.I. Babanin, I.P. Nikitina, V.E. Chelnokov, V.P. Rastegaev. Proc. VIth Conf. on Silicon Carbide and Related Materials, ed. by S. Nakashima et al. (Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 1995) p. 581
M.G. Rastegaeva, A.B. Andreev, A.A. Petrov, A.I. Babanin, M.A. Yagovkina, I.P. Nikitina. Abstracs of E-MRS Spring Meeting (France, 1996) A--VII.3
Yu.M. Tairov, Yu.A. Vodakov. Topics in Applied Physics, ed. by Pankov (Berlin--Heidelberg--N.Y., 1977) v. 17, p. 31
Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов, В.И. Соколов. В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., 1980) с. 164

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель