Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1998, выпуск 7 » Статья стр. 832
<<<>>>
К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов
Андреев А.Н.1, Растегаева М.Г.1, Растегаев В.П.1, Решанов С.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.
PDF версия
Предложена разновидность конфигурации контактных площадок с радиальной геометрией, имеющая ряд преимуществ при определении переходного сопротивления омических контактов (rhoc) изготовленных к подложкам и слоям полупроводника с высокой проводимостью. Рассмотрены различные варианты ее применения как в методе TLM, так и в методе, основанном на численном расчете сопротивления полупроводника с учетом эффекта растекания. Показано, что методы, основанные на использовании TLM, позволяют получить оценку "сверху" величины удельного переходного сопротивления омических контактов в подложкам, а также проведены расчеты возникающей при этом погрешности в зависимости от параметров полупроводника и контакта. Такая оценка является хорошим начальным приближением при определении точного значения rhoc посредством численных расчетов сопротивления полупроводника. Полученные результаты использованы при исследовании удельного сопротивления омических контактов, изготовленных на основе никеля к подложкам n-6H-SiC.
  1. В.Я. Нисков. ПТЭ, 1, 235 (1971)
  2. H.H. Berger. Sol. St. Electron., 15, 145 (1972)
  3. G. Boberg, L. Stolt, P.A. Tove, H. Norde. Physica Scripta, 24, 405 (1981)
  4. G.K. Reeves. Sol. St. Electron., 23, 487 (1980)
  5. G.S. Martow, M.B. Das. Sol. St. Electron., 25, 91 (1982)
  6. J.S. Chen, A. Bashli, M.-A. Nicolet, L. Baud, C. Jaussaud, R. Madar. Mater. Sci. Engin., B, 29, 185 (1995)
  7. L.K. Mak, C.M. Rogers, D.C. Northrop. J. Phys. E: Sci. Instrum., 22, 317 (1989)
  8. Ю.Д. Чистяков, В.В. Баранов, А.П. Достанко. Обзоры по электронной технике. Сер.: Полупроводниковые приборы (М., Изд-во ЦНИИ "Электроника", 1973) вып. 7 (143)
  9. А.М. Стрельчук, Б.Н. Грессеров. Письма ЖТФ, 22, 1 (1996)
  10. V. Rastegaev, S. Reshanov, A. Andreev, M. Rastegaeva. Trans. of the Third Int. High Temperature Conference (USA, 1996) p. 149
  11. И.Н. Бронштейн, К.А. Семендяев. Справочник по математике (М., Наука, 1980)
  12. M.G. Rastegaeva, A.N. Andreev, V.V. Zelenin, A.I. Babanin, I.P. Nikitina, V.E. Chelnokov, V.P. Rastegaev. Proc. VIth Conf. on Silicon Carbide and Related Materials, ed. by S. Nakashima et al. (Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 1995) p. 581
  13. M.G. Rastegaeva, A.B. Andreev, A.A. Petrov, A.I. Babanin, M.A. Yagovkina, I.P. Nikitina. Abstracs of E-MRS Spring Meeting (France, 1996) A--VII.3
  14. Yu.M. Tairov, Yu.A. Vodakov. Topics in Applied Physics, ed. by Pankov (Berlin--Heidelberg--N.Y., 1977) v. 17, p. 31
  15. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов, В.И. Соколов. В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., 1980) с. 164

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme