"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Донорно-акцепторная рекомбинация в короткопериодных сверхрешетках GaAs/AlAs, легированных кремнием
Решина И.И.1, Планель Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Центр национальных научных исследований, Лаборатория микроструктур и микроэлектроники, Багню, Франция
Поступила в редакцию: 23 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

В спектрах фотолюминесценции короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs, легированных кремнием в барьерах или в ямах и барьерах, наряду с экситонной полосой обнаружена низкочастотная полоса, которую мы интерпретируем как донорно-акцепторную рекомбинацию на основании зависимости ее частоты от интенсивности возбуждающего света при непрерывном возбуждении и от времени задержки при импульсном возбуждении. Исследование проводилось в основном на структурах типа II. Из энергии максимума донорно-акцепторной полосы при очень малой интенсивности возбуждения можно оценить, что EA+ED~ 120 мэВ. Оценка по температурной зависимости интенсивности дает EA~ 23 мэВ, ED~ 90 мэВ. Высказанна гипотеза, что глубокий донорный уровень является DX-центром в слоях AlAs.
  1. P. Sellitto, P. Jeanjean, J. Sicart, J.L. Robert, R. Planel. J. Appl. Phys., 74, 7166 (1993)
  2. P. Sellitto, J. Sicart, J.L. Robert. J. Appl. Phys., 75, 7356 (1994)
  3. E.W. Williams, H. Barry Bebb. In: Semiconductors and semimetals ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (N. Y., Academic Press) v. 8, p. 321
  4. K. Maeda. J. Phys. Chem. Sol., 26, 595 (1965)
  5. R.C.C. Leite, A.E. DiGiovanni. Phys. Rev., 153, 841 (1967)
  6. Y.P. Varshni. Physica, 34, 149 (1967)
  7. F. Williams. Phys. St. Sol., 25, 493 (1968)
  8. J.E. Northrup, S.B. Zhang. Phys. Rev. B, 47, 6791 (1993)
  9. P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
  10. В.Ф. Сапега (частное сообщение)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.