Донорно-акцепторная рекомбинация в короткопериодных сверхрешетках GaAs/AlAs, легированных кремнием
Решина И.И.1, Планель Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Центр национальных научных исследований, Лаборатория микроструктур и микроэлектроники, Багню, Франция
Поступила в редакцию: 23 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.
В спектрах фотолюминесценции короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs, легированных кремнием в барьерах или в ямах и барьерах, наряду с экситонной полосой обнаружена низкочастотная полоса, которую мы интерпретируем как донорно-акцепторную рекомбинацию на основании зависимости ее частоты от интенсивности возбуждающего света при непрерывном возбуждении и от времени задержки при импульсном возбуждении. Исследование проводилось в основном на структурах типа II. Из энергии максимума донорно-акцепторной полосы при очень малой интенсивности возбуждения можно оценить, что EA+ED~ 120 мэВ. Оценка по температурной зависимости интенсивности дает EA~ 23 мэВ, ED~ 90 мэВ. Высказанна гипотеза, что глубокий донорный уровень является DX-центром в слоях AlAs.
- P. Sellitto, P. Jeanjean, J. Sicart, J.L. Robert, R. Planel. J. Appl. Phys., 74, 7166 (1993)
- P. Sellitto, J. Sicart, J.L. Robert. J. Appl. Phys., 75, 7356 (1994)
- E.W. Williams, H. Barry Bebb. In: Semiconductors and semimetals ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (N. Y., Academic Press) v. 8, p. 321
- K. Maeda. J. Phys. Chem. Sol., 26, 595 (1965)
- R.C.C. Leite, A.E. DiGiovanni. Phys. Rev., 153, 841 (1967)
- Y.P. Varshni. Physica, 34, 149 (1967)
- F. Williams. Phys. St. Sol., 25, 493 (1968)
- J.E. Northrup, S.B. Zhang. Phys. Rev. B, 47, 6791 (1993)
- P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
- В.Ф. Сапега (частное сообщение)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
