"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Теоретическое исследование пороговых характеристик лазеров на многих квантовых ямах на основе InGaN
Зегря Г.Г.1, Гунько Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

Исследованы пороговые характеристики лазеров на многих квантовых ямах на основе InGaN. Выполнен подробный анализ зависимости порогового тока от параметров квантовой ямы и от температуры. Показано, что по сравнению с длинноволновыми лазерами, лазеры на основе InGaN имеют качественно другую зависимость порогового тока от параметров квантовой ямы (ширины квантовой ямы, числа квантовых ям). Проанализирована возможность оптимизации лазерной структуры на основе InGaN с целью улучшения пороговых характеристик и увеличения предельной мощности излучения.
  1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto. J. Appl. Phys., 35, L217 (1996)
  2. S.L. Chuang, C.S. Chang. Appl. Phys. Lett., 68, 1657 (1996)
  3. A.T. Meney. E.P. O'Reilly, A.R. Adams. Senicond. Sci. Technol., 11, 897 (1996)
  4. W.J. Fan, M.F. Li, T.C. Chong, J.B. Xia. J. Appl. Phys., 80, 3471 (1996)
  5. G.G. Zegrya. In: Antimonide Related Strained Layer Heterostructures, ed. by M.O. Manasreh (Gordon and Breach, Neward, 1997)
  6. Р. Пантел, Г. Путхоф. Основы квантовой электроники (М., Мир, 1972)
  7. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред (М., Наука, 1982)
  8. В.П. Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках (Минск, Наука и техника, 1975)
  9. W. van Roosbroeck, W. Shockley. Phys. Rev., 94, 1558 (1954)
  10. Quantum Well Lasers, ed. by Peter S. Zory, Jr. (Academic Press, 1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.