"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотовольтаический эффект в поверхностно-барьерных структурах In/тонкие пленки I--III--VI2
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.2, Боднарь И.В.3, Гременок В.Ф.3, Образцова О.С.3, Сергеев-Некрасов С.Л.3
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 19 ноября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

На пленках тройных соединений CuInTe2, AgGaTe2, AgInTe2 и твердом растворе Cu0.5Ag0.5InSe2, полученных лазерным испарением, изготовлены поверхностно-барьерные структуры, при освещении которых наблюдался фотовольтаический эффект. Установлено, что максимальной вольтовой фоточувствительностью обладают структуры на основе тройного соединения p-AgGaTe2. Показано, что полученные лазерным осаждением пленки соединений I-III-VI2 и твердых растворов Cu0.5Ag0.5InSe2 могут использоваться для создания широкополосных фотопреобразователей естественного излучения.
  1. H.W. Schock. Sol. Energy Mater. and Sol. Cells, 34, 19 (1994)
  2. H.W. Schock. Appl. Surf. Sci., 92, 606 (1996)
  3. H. Neumann, R.D. Tomlinson, Solar. Cells, 28, 301 (1990)
  4. A. Rocket, R.W. Birkmirc. J. Appl. Phys., 70, R81 (1991)
  5. J.L. Shay, J.H. Wernick. ternary chalcopyrite semiconductors: Growth, electronic properties and applications (Pergamon Press, N.Y., 1975)
  6. G.A. Medvedkin, V.D. Prochukhan, Yu.V. Rud', M.A. Tairov. Phys. St. Sol. (b), 151, 711 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.