"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Получение и свойства монокристаллов дисульфида германия
Голубков А.В.1, Дубровский Г.Б.1, Шелых А.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

Получены монокристаллы GeS2 кристаллизацией из расплава и газотранспортным методом. Установлено, что кристаллы имеют моноклинную структуру с параметрами элементарной ячейки a=11.45 Angstrem, b=16.09 Angstrem, c=6.7 Angstrem, beta=91o. Измерены спектры отражения и пропускания в области края поглощения. Определена ширина запрещенной зоны, она равна 3.2 эВ.
  1. M. Rubenstein, G. Roland. Acta Cryst., B27, N 2, 505 (1971)
  2. А. Фельц. Аморфные и стеклообразные твердые тела (М., 1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.