"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование нелинейной динамики переноса в компенсированом полупроводнике при низкотемпературном электрическом пробое путем компьютерного моделирования
Джандиери К.М.1, Качлишвили В.С.1
1Тбилисский государственный университет, Факультет физики, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 12 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

Исследуется возможность хаотического поведения тока в частично компенсированном полупроводнике при низкотемпературном электрическом пробое путем компьютерного моделирования. Рассматривается влияние случайных флуктуаций параметров или же переменных математической модели, а также влияние каких-либо периодических наводок на плотность тока в полупроводнике. В результате получены различные картины хаотических колебаний тока, в том числе переход в хаотический режим через удвоение периода, характерное для сценария Фейгенбаума.
  1. R.P. Huebener, J. Parisi, J. Feinke. Appl. Phys. A, 48, 107 (1989)
  2. L.L. Golik, M.M. Gutman, V.E. Paskeev. Phys. St. Sol. (b), 162, 199 (1990)
  3. E.Echoll. Appl. Phys., 48, 95 (1989)
  4. Э.С. Качлишвили, И.Д. Кезерашвили. ФТП, 24, 1106 (1990)
  5. В.В. Владимиров, В.Н. Горшков. ФТП, 14, 417 (1980); В.В. Владимиров, П.М. Головинский, В.Н. Горшков. ФТП, 15, 40 (1981); В.В. Владимиров, В.Н. Горшков, В.К. Малютенко. ФТП, 26, 1580 (1992)
  6. K.M. Jandieri, Z.S. Kachlishvili. Bull. Georgian Acad. Sci., 154 (1), 61 (1996); 154 (2), 208 (1996)
  7. Z.S. Kachlishvili. Phys. St. Sol. (b), 48, 65 (1971)
  8. Т.О. Гегечкори, В.Г. Джакели. Сообщ. АН ГССР, 3, 565 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.