Вышедшие номера
Исследование нелинейной динамики переноса в компенсированом полупроводнике при низкотемпературном электрическом пробое путем компьютерного моделирования
Джандиери К.М.1, Качлишвили В.С.1
1Тбилисский государственный университет, Факультет физики, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 12 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

Исследуется возможность хаотического поведения тока в частично компенсированном полупроводнике при низкотемпературном электрическом пробое путем компьютерного моделирования. Рассматривается влияние случайных флуктуаций параметров или же переменных математической модели, а также влияние каких-либо периодических наводок на плотность тока в полупроводнике. В результате получены различные картины хаотических колебаний тока, в том числе переход в хаотический режим через удвоение периода, характерное для сценария Фейгенбаума.