Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Непрерывная генерация при 293 K РО ДГС лазеров с одним слоем InAs квантовых точек в активной области, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs (001), разориентированных в направлении [010]

Евтихиев В.П.¹, Кудряшов И.В.¹, Котельников Е.Ю.¹, Токранов В.Е.¹, Титков А.Н.¹, Тарасов И.С.¹, Алферов Ж.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 29 июня 1998 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электролюминесценция и генерация лазеров с одним слоем InAs квантовых точек, выращенных в одном процессе молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках (001) GaAs, разориентированных в направлении [010] на 2, 4 и 6^o. Обнаружено, что увеличение угла разориентации приводит к коротковолновому сдвигу и уменьшению полуширины спектров электролюминесценции. Наблюдаемый эффект объясняется уменьшением размеров квантовых точек и улучшением их однородности по размерам. Обнаружена сильная зависимость величины пороговой плотности тока от ширины спектра спонтанной люминесценции. Пороговая плотность тока при комнатной температуре лазеров с одним слоем квантовых точек и с минимальной полушириной спектра спонтанной люминесценции (54 мэВ) составила 210 А/см².

Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов. ФТП, 32, 385 (1998)
F. Heinrishsdorff, M.-H. Mao, N. Kirstaedter, A. Krost, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 71, 22 (1997)
V.P. Evtikhiev, A.K. Kryganovskii, A.B. Komissarov, A.N. Titkov, M. Ichida, A. Nakamura. Inst. Phys. Conf. Ser., 155, 351 (1996)
В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, А.К. Крыжановский, А.М. Бойко, Р.А. Сурис, А.Н. Титков, А. Накамура, М. Ичида. ФТП, 32, 860 (1998)
Д.З. Гарбузов, В.П. Евтихиев, В.В. Агаев, В.Б. Халфин, В.П. Чалый. ФТП, 17, 1653 (1983)
H. Shoji, Y. Nakata, K. Mukai, Y. Sugiyama, M. Sugawara, N. Yoloyama, H. Ishikawa. IEEE J. Select. Topics in Quantum Electron., 3, 188 (1997)
Д.Г. Васильев, В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, И.В. Кудряшов, В.П. Кочерешко. ФТТ, 40, 855 (1998)
N.P. Kobayashi, T.R. Ramachandran, P. Chen, A. Madhukar. Appl. Phys. Lett., 68, 3299 (1996)
Д.З. Гарбузов, А.Т. Гореленок, М.К. Трукан, А.С. Усиков, В.П. Чалый. ФТП, 15, 505 (1981)
L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель