Анализ вольт-амперных характеристик длинных полупроводниковых структур на сверхвысоких уровнях двойной инжекции вызван широким распространением низкоомных материалов в современной твердотельной электронике. Показано, что в ходе такого анализа неприменима чисто плазменная модель полупроводника, так как необходимо учитывать зависимость подвижности носителей заряда от их концентрации mu(n). Проанализированы условия возникновения резко сверхлинейных вольт-амперных характеристик в области начального изменения mu(n) только за счет темпа изменения подвижности основных носителей (lambda-эффект). На экспериментальных вольт-амперных характеристиках lambda-эффект проявляется в виде резких скачков тока и соответствующих им высоких значений дифференциальной степени вольт-амперной (J-V) характеристики (alpha=d J/d V), определяемых изменением дифференциальной степени зависимости подвижности носителей заряда от концентрации lambda(n)=d/d n. Расчет показал, что механизм возникновения lambda-эффекта может быть определен при достижении уровней инжекции до ~10¹⁷ см^-3.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.