"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фазовые переходы, происходящие в халькогенидных стеклообразных полупроводниках при воздействии на них импульсами электрического поля и лазерного излучения
Лебедев Э.А.1, Цэндин К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.

Получены и анализируются данные по фазовым переходам из упорядоченного в неупорядоченное состояние, происходящим за времена порядка микросекунд в микронных объемах халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge-As-Te. Обсуждается связь структурных превращений, наблюдаемых при импульсном воздействии лазерного излучения, с обратимым фазовым переходом "полупроводник--металл", происходящим в сильном электрическом поле. Показано, что обратимый фазовый переход по проводимости может многократно происходить при температурах ~ 500/ 600 K, определенных ранее. Выявлено, что решающую роль в обратимых структурных превращениях играет существование при временах воздействия меньше микросекунд широкого диапазона мощностей лазерного излучения, в котором возможен многократный переход из кристаллического состояния в стеклообразное без разрушения материала. Показано, что наличие такого диапазона мощностей связано с явлением перегрева.
  1. B.T. Kolomiets. Phys. St. Sol., 7, 359 (1964); Phys. St. Sol., 7, 713 (1964)
  2. Б.Т. Коломиец. Вестн. АН СССР, 6, 54 (1969)
  3. Б.Т. Коломиец. Тр. 6-й междунар. конф. аморф. и жидк. полупровод.: Электронные явления в некристаллических полупроводниках (Л., Наука, 1975). с. 23
  4. Б.Т. Коломиец. Препринт ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР (Ленинград, 1981) с. 1
  5. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
  6. A.D. Pearson, W.R. Nothover, I.F. Dewald, W.I. Peck. Advan. in Glass Technol. (N.Y., Plenum Press, 1962) p. 357
  7. Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев. Радиотехника и электроника, 8, 2037 (1963)
  8. S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 21, 1450 (1968)
  9. C.H. Sie, M.P. Dugan, S.C. Moss. J. Non-Cryst. Sol., 8-10, 877 (1972)
  10. Б.Т. Коломиец. Э.А. Лебедев, И.А. Таксами, В.Х. Шпунт. ФТП, 7, 2045 (1973)
  11. А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991)
  12. С.А. Костылев, В.А. Шкут. Электронное переключение в аморфных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1978)
  13. Э.А. Лебедев, К.Д. Цэндин. В кн.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цендина (СПб., Наука, 1996) с. 224
  14. Г. Боухьюз, Дж. Браат. А. Хейсер, Дж. Пасман, Ван Розмален, К. Шухамер-Имминк. Оптические дисковые системы (М., Радио и связь, 1991)
  15. К.К. Шварц. Физика оптической записи в диэлектриках и полупроводниках (Рига, Зинатне, 1986)
  16. В.Х. Шпунт. В кн.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996) с. 300
  17. Н.К. Киселева, В.И. Коченов, Э.А. Лебедев. ФТТ, 30, 1965 (1988)
  18. Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев, К.Д. Цендин. ФТП, 15, 304 (1981)
  19. P.J. Walsh, R. Vogel, E.J. Evans. Phys. Rev., 178, 1274 (1969)
  20. D.L. Thomas, J.C. Male. J. Non-Cryst. Sol., 8--10, 522 (1972).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.