Методами спин-зависимой рекомбинации и детектирования резонансного изменения микроволновой фотопроводимости исследованы спектры электронного парамагнитного резонанса центров, возникающих на поверхности пластин кремния с ориентацией (111), (110) и (100) после их естественного окисления на воздухе. Установлены основные закономерности поведения спектров парамагнитного резонанса в различных экспериментальных условиях, таких, как температура, интенсивность освещения, мощность микроволнового резонансного поля. Показано, что основными центрами спин-зависимой рекомбинации являются оборванные связи атомов кремния, локализованные на границе Si/SiO₂ на поверхностях (111) и (110), и пары оборванных связей на поверхности (100). Ключевые слова: кремний, поверхность, спин-зависимая рекомбинация, электронный парамагнитный резонанс.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.