Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2024, выпуск 1 » Статья стр. 42
<<<>>>
Динамика лазерной генерации микролинеек одномодовых полупроводниковых лазеров (1065 нм), работающих в режиме модуляции усиления
Подоскин А.А.1, Шушканов И.В.1, Ризаев А.Э.1, Крючков В.А.1, Гришин А.Е.1, Пихтин Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: podoskin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 ноября 2023 г.
В окончательной редакции: 11 января 2024 г.
Принята к печати: 31 января 2024 г.
Выставление онлайн: 9 апреля 2024 г.
PDF версия
Исследованы излучатели в виде микролинеек оптически изолированных одномодовых лазеров на основе гетероструктуры с двойной асимметрией, работающие в условиях накачки субнаносекундными импульсами тока. Для микролинеек с различной плотностью заполнения излучающей апертуры продемонстрирован эффект разброса времени задержки включения различных полосков, при этом максимальная разница достигала 50 пс. В режиме модуляции усиления разработанные конструкции микролинеек позволили получать устойчивую генерацию на нулевой моде. При накачке токовыми импульсами длительностью 0.4 нс для микролинейки из 10 излучателей шириной по 6 мкм и периодом 20 мкм продемонстрирована возможность генерации импульсов пиковой мощностью 3 Вт и длительностью 140 пс. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, лазерная линейка, модуляция усиления.
  1. Д.Ф. Зайцев, В.М. Андреев, И.А. Биленко, А.А. Березовский, П.Ю. Владиславский, Ю.Б. Гурфинкель, Л.И. Цветкова, В.С. Калиновский, Н.М. Кондратьев, В.Н. Косолобов, В.Ф. Курочкин, С.О. Слипченко, Н.В. Смирнов, Б.В. Яковлев. Радиотехника, 85, 153 (2021). DOI: 10.18127/j00338486-202104-17
  2. N.H. Zhu, Z. Shi, Z.K. Zhang, Y.M. Zhang, C.W. Zou, Z.P. Zhao, Y. Liu, W. Li, M. Li. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 24, 1 (2018). DOI: 10.1109/JSTQE.2017.2720959
  3. J.M.T. Huikari, E.A. Avrutin, B.S. Ryvkin, J.J. Nissinen, J.T. Kostamovaara. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 21, 1501206 (2015). DOI: 10.1109/JSTQE.2015.2416342
  4. А.А. Подоскин, И.В. Шушканов, В.В. Шамахов, А.Э. Ризаев, М.И. Кондратов, А.А. Климов, С.В. Зазулин, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин. Квант. электрон., 53, 1 (2023)
  5. B. Ryvkin, E.A. Avrutin, J.T. Kostamovaara. J. Lightwave Technol., 27, 2125 (2009). DOI: 10.1109/JLT.2008.2009075
  6. V.S. Golovin, S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, A.E. Kazakova, N.A. Pikhtin. J. Lightwave Technol., 40, 4321 (2022). DOI: 10.1109/JLT.2022.3159574
  7. E.A. Avrutin, B.S. Ryvkin, J.T. Kostamovaara, D.V. Kuksenkov. Semicond. Sci. Technol., 30, 055006 (2015). DOI: 10.1088/0268-1242/30/5/055006
  8. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, V.S. Golovin, N.A. Pikhtin, P.S. Kop'ev. IEEE Photon. Techn. Lett., 33, 7 (2020). DOI: 10.1109/LPT.2020.3040063
  9. S.O. Slipchenko, I.S. Shashkin, D.A. Veselov, V.A. Kriychkov, A.E. Kazakova, A.Y. Leshko, V.V. Shamakhov, D.N. Nikolaev, N.A. Pikhtin. J. Lightwave Technol., 40, 2933 (2022). DOI: 10.1109/JLT.2022.3144663
  10. R.J. Lang, A.G. Larsson, J.G. Cody. IEEE J. Quant. Electron., 27, 312 (1991). DOI: 10.1109/3.81329
  11. G.M. Smith, L.J. Missaggia, M.K. Connors, J.P. Donnelly, R.B. Swint, G.W. Turner, M. Dogan, J.H. Jacob. 2014 Int. Semiconductor Laser Conf., Palma de Mallorca, Spain, 2014 (IEEE 2014 Int. Semiconductor Laser Conf.) p. 199. DOI: 10.1109/ISLC.2014.232
  12. L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Mashanovitch. Diode lasers and photonic integratedcircuits (John Wiley \& Sons, 2012). DOI: 10.1002/9781118148167

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme