Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Динамика лазерной генерации микролинеек одномодовых полупроводниковых лазеров (1065 нм), работающих в режиме модуляции усиления
Подоскин А.А.1, Шушканов И.В.1, Ризаев А.Э.1, Крючков В.А.1, Гришин А.Е.1, Пихтин Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: podoskin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 ноября 2023 г.
В окончательной редакции: 11 января 2024 г.
Принята к печати: 31 января 2024 г.
Выставление онлайн: 9 апреля 2024 г.
Исследованы излучатели в виде микролинеек оптически изолированных одномодовых лазеров на основе гетероструктуры с двойной асимметрией, работающие в условиях накачки субнаносекундными импульсами тока. Для микролинеек с различной плотностью заполнения излучающей апертуры продемонстрирован эффект разброса времени задержки включения различных полосков, при этом максимальная разница достигала 50 пс. В режиме модуляции усиления разработанные конструкции микролинеек позволили получать устойчивую генерацию на нулевой моде. При накачке токовыми импульсами длительностью 0.4 нс для микролинейки из 10 излучателей шириной по 6 мкм и периодом 20 мкм продемонстрирована возможность генерации импульсов пиковой мощностью 3 Вт и длительностью 140 пс. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, лазерная линейка, модуляция усиления.
- Д.Ф. Зайцев, В.М. Андреев, И.А. Биленко, А.А. Березовский, П.Ю. Владиславский, Ю.Б. Гурфинкель, Л.И. Цветкова, В.С. Калиновский, Н.М. Кондратьев, В.Н. Косолобов, В.Ф. Курочкин, С.О. Слипченко, Н.В. Смирнов, Б.В. Яковлев. Радиотехника, 85, 153 (2021). DOI: 10.18127/j00338486-202104-17
- N.H. Zhu, Z. Shi, Z.K. Zhang, Y.M. Zhang, C.W. Zou, Z.P. Zhao, Y. Liu, W. Li, M. Li. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 24, 1 (2018). DOI: 10.1109/JSTQE.2017.2720959
- J.M.T. Huikari, E.A. Avrutin, B.S. Ryvkin, J.J. Nissinen, J.T. Kostamovaara. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 21, 1501206 (2015). DOI: 10.1109/JSTQE.2015.2416342
- А.А. Подоскин, И.В. Шушканов, В.В. Шамахов, А.Э. Ризаев, М.И. Кондратов, А.А. Климов, С.В. Зазулин, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин. Квант. электрон., 53, 1 (2023)
- B. Ryvkin, E.A. Avrutin, J.T. Kostamovaara. J. Lightwave Technol., 27, 2125 (2009). DOI: 10.1109/JLT.2008.2009075
- V.S. Golovin, S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, A.E. Kazakova, N.A. Pikhtin. J. Lightwave Technol., 40, 4321 (2022). DOI: 10.1109/JLT.2022.3159574
- E.A. Avrutin, B.S. Ryvkin, J.T. Kostamovaara, D.V. Kuksenkov. Semicond. Sci. Technol., 30, 055006 (2015). DOI: 10.1088/0268-1242/30/5/055006
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, V.S. Golovin, N.A. Pikhtin, P.S. Kop'ev. IEEE Photon. Techn. Lett., 33, 7 (2020). DOI: 10.1109/LPT.2020.3040063
- S.O. Slipchenko, I.S. Shashkin, D.A. Veselov, V.A. Kriychkov, A.E. Kazakova, A.Y. Leshko, V.V. Shamakhov, D.N. Nikolaev, N.A. Pikhtin. J. Lightwave Technol., 40, 2933 (2022). DOI: 10.1109/JLT.2022.3144663
- R.J. Lang, A.G. Larsson, J.G. Cody. IEEE J. Quant. Electron., 27, 312 (1991). DOI: 10.1109/3.81329
- G.M. Smith, L.J. Missaggia, M.K. Connors, J.P. Donnelly, R.B. Swint, G.W. Turner, M. Dogan, J.H. Jacob. 2014 Int. Semiconductor Laser Conf., Palma de Mallorca, Spain, 2014 (IEEE 2014 Int. Semiconductor Laser Conf.) p. 199. DOI: 10.1109/ISLC.2014.232
- L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Mashanovitch. Diode lasers and photonic integratedcircuits (John Wiley \& Sons, 2012). DOI: 10.1002/9781118148167
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
