Исследовано влияние соотношения потоков элементов III и V групп на особенности формирования, структурные, излучательные свойства, а также возможности получения стимулированного излучения в ИК диапазоне в планарных структурах со слоями InGaN с содержанием In ~ 50-100%. Обнаружено, что при температуре роста 470^oС для получения однородных по составу слоев InGaN соотношение потоков III/V необходимо уменьшать по сравнению со стехиометрическим (III/V <1), чтобы подавить процессы разложения и фазового распада. Критическое значение III/V, необходимое для получения однородных растворов InGaN, немонотонно зависит от состава. По мере снижения содержания In до ~ 80% это соотношение повышается с 0.75 до 0.85, что обусловлено стабилизацией раствора InGaN, так как связи атомов Ga-N сильнее связей In-N. При дальнейшем уменьшении содержания In до ~ 50% соотношение III/V необходимо снижать для подавления процессов разложения и фазового распада. Оптимальное соотношение III/V с точки зрения наименьших порогов стимулированного излучения близко к критическому соотношению III/V для получения однородного InGaN данного состава. При значениях III/V больше критических в растворах InGaN наблюдаются процессы разложения и фазового распада, и стимулированное излучение в таких структурах не наблюдается. В случае уменьшения соотношения III/V существенно ниже критического значения в результате развития шероховатости поверхности и роста оптических потерь существенно увеличиваются пороги стимулированного излучения. Ключевые слова: InGaN, молекулярно-пучковая эпитаксия, термическое разложение, спинодальный распад, стимулированное излучение.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.