Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Перенос фотоэлектронов через границу p-GaAs(Cs, O)--вакуум с положительным и отрицательным электронным сродством

Российский научный фонд, 23-72-30003

Хорошилов В.С.^1,2, Шайблер Г.Э.^1,2, Казанцев Д.М.^1,2, Рожков С.А.^1,2, Альперович В.Л.^1,2

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Email: khoros@isp.nsc.ru, scheibl@isp.nsc.ru, dmkazantsev@isp.nsc.ru, rozhkovs@isp.nsc.ru, alper_v@mail.ru

Поступила в редакцию: 26 апреля 2024 г.

В окончательной редакции: 27 апреля 2024 г.

Принята к печати: 27 апреля 2024 г.

Выставление онлайн: 6 сентября 2024 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучена эволюция энергетических распределений электронов, эмитированных из p-GaAs(Cs, O), при переходе от отрицательного к положительному эффективному электронному сродству при нанесении избыточного цезия. Установлено, что при адсорбции избыточного цезия эволюция энергораспределений обусловлена как увеличением работы выхода поверхности, так и снижением вероятности выхода электронов в вакуум. Результаты сопоставлены с экспериментом по адсорбции избыточного кислорода. Изменения вероятности выхода связаны, предположительно, с отражением или рассеянием электронов на двумерных цезиевых кластерах с металлическим спектром элементарных возбуждений. Ключевые слова: фотоэмиссия, GaAs, отрицательное электронное сродство, вероятность выхода электронов в вакуум.

A. Damascelli. Phys. Scr., 109, 61 (2004)
V.N. Strocov, L.L. Lev, F. Alarab, P. Constantinou, X. Wang, T. Schmitt, T.J.Z. Stock, L. Nicolai, J. Ovcenavsek, J. Minar. Nature Commun., 14, 4827 (2023)
Р.Л. Белл. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством (М., Энергия, 1978)
V.V. Bakin, A.A. Pakhnevich, A.G. Zhuravlev, A.N. Shornikov, I.O. Akhundov, O.E. Tereshechenko, V.L. Alperovich, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. e-J. Surf. Sci. Nanotech., 5, 80 (2007)
Д.А. Орлов, В.Э. Андреев, А.С. Терехов. Письма ЖЭТФ, 71 (4), 220 (2000)
O.E. Tereshchenko, V.A. Golyashov, A.A. Rodionov, I.B. Chistokhin, N.V. Kislykh, A.V. Mironov, V.V. Aksenov. Sci. Rep., 7, 16154 (2017)
J.W. Schwede, I. Bargatin, D.C. Riley, B.E. Hardin, S.J. Rosenthal, Y. Sun, F. Schmitt, P. Pianetta, R.T. Howe, Z.-X. Shen, N.A. Melosh. Nat. Mater., 9, 762 (2010)
J.W. Schwede, T. Sarmiento, V.K. Narasimhan, S.J. Rosenthal, D.C. Riley, F. Schmitt, I. Bargatin, K. Sahasrabuddhe, R.T. Howe, J.S. Harris, N.A. Melosh, Z.-X. Shen. Nat. Commun., 4, 1576 (2013)
A.G. Zhuravlev, A.S. Romanov, V.L. Alperovich. Appl. Phys. Lett., 105, 251602 (2014)
A.G. Zhuravlev, V.L. Alperovich. Appl. Surf. Sci., 461, 10 (2018)
А.Г. Журавлев, В.С. Хорошилов, В.Л. Альперович. Письма ЖЭТФ, 105 (10), 686 (2017)
A.G. Zhuravlev, V.S. Khoroshilov, V.L. Alperovich. Appl. Surf. Sci., 483, 895 (2019)
M.G. Burt, J.C. Inkson. J. Phys. D: Appl. Phys., 9 (1), 43 (1976)
В.Л. Коротких, А.Л. Мусатов, В.Д. Шадрин. Письма ЖЭТФ, 27 (11), 652 (1978)
V.V. Bakin, K.V. Toropetsky, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov, L.B. Jones, B.L. Militsyn, T.C.Q. Noakes. Appl. Phys. Lett., 106, 183501 (2015)
L.B. Jones, H.E. Scheibler, S.N. Kosolobov, A.S. Terekhov, B.L. Militsyn, T.C.Q. Noakes. J. Phys. D: Appl. Phys., 54, 205301 (2021)
V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov. Appl. Surf. Sci., 235, 249 (2004)
А.С. Терехов, Д.А. Орлов. Письма ЖЭТФ, 59, 827 (1994)
H.-J. Drouhin, C. Hermann, G. Lampel. Phys. Rev. B, 31 (6), 3859 (1985)
L.J. Whitman, J.A. Stroscio, R.A. Dragoset, R.J. Celotta. Phys. Rev. Lett., 66, 1338 (1991)
U. Del Pennino, R. Compan., B. Salvarani, C. Mariani. Surf. Sci., 409 (2), 258 (1998)
V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, A.N. Litvinov, A.S. Terekhov. Appl. Surf. Sci., 175, 175 (2001)
C. Laubschat, M. Prietsch, M. Domke, E. Weschke, E. Remmers, T. Mandel, E. Ortega, G. Kaindl. Phys. Rev. Lett., 62, 1306 (1989)
В.С. Хорошилов, Д.М. Казанцев, С.А. Рожков, В.Л. Альперович. Письма ЖТФ, 49 (21), 24 (2023)
О.Е. Терещенко, В.Л. Альперович, А.С. Терехов. Письма ЖЭТФ, 79 (3), 163 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель