Вышедшие номера
Перенос фотоэлектронов через границу p-GaAs(Cs, O)--вакуум с положительным и отрицательным электронным сродством
Российский научный фонд, 23-72-30003
Хорошилов В.С.1,2, Шайблер Г.Э.1,2, Казанцев Д.М.1,2, Рожков С.А.1,2, Альперович В.Л.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: khoros@isp.nsc.ru, scheibl@isp.nsc.ru, dmkazantsev@isp.nsc.ru, rozhkovs@isp.nsc.ru, alper_v@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 27 апреля 2024 г.
Принята к печати: 27 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 6 сентября 2024 г.

Изучена эволюция энергетических распределений электронов, эмитированных из p-GaAs(Cs, O), при переходе от отрицательного к положительному эффективному электронному сродству при нанесении избыточного цезия. Установлено, что при адсорбции избыточного цезия эволюция энергораспределений обусловлена как увеличением работы выхода поверхности, так и снижением вероятности выхода электронов в вакуум. Результаты сопоставлены с экспериментом по адсорбции избыточного кислорода. Изменения вероятности выхода связаны, предположительно, с отражением или рассеянием электронов на двумерных цезиевых кластерах с металлическим спектром элементарных возбуждений. Ключевые слова: фотоэмиссия, GaAs, отрицательное электронное сродство, вероятность выхода электронов в вакуум.