Методом оптической спектроскопии отражения исследованы гетероструктуры на основе монослоев MoSe₂, изучены возбужденные состояния экситонов. Показано, что форма спектра отражения основного и возбужденных состояний определяется толщиной используемого в гетероструктуре гексагонального нитрида бора. Численное моделирование с помощью расчета коэффициента отражения гетероструктуры методом матриц переноса дает хорошее совпадение экспериментальной формы линий с теоретической, что подтверждает универсальность данного метода и делает его удобным для дальнейшего исследования ван-дер-ваальсовых структур с другими материалами и параметрами. Ключевые слова: экситон, гетероструктура, монослой, прямозонный полупроводник.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.