Вышедшие номера
Исследование возбужденных состояний экситонов в гетероструктурах с монослоями MoSe2
Голышков Г.М.1, Бричкин А.С.1, Черненко А.В.1
1Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия
Email: golyshkov.gm@phystech.edu
Поступила в редакцию: 26 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 27 апреля 2024 г.
Принята к печати: 27 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 6 сентября 2024 г.

Методом оптической спектроскопии отражения исследованы гетероструктуры на основе монослоев MoSe2, изучены возбужденные состояния экситонов. Показано, что форма спектра отражения основного и возбужденных состояний определяется толщиной используемого в гетероструктуре гексагонального нитрида бора. Численное моделирование с помощью расчета коэффициента отражения гетероструктуры методом матриц переноса дает хорошее совпадение экспериментальной формы линий с теоретической, что подтверждает универсальность данного метода и делает его удобным для дальнейшего исследования ван-дер-ваальсовых структур с другими материалами и параметрами. Ключевые слова: экситон, гетероструктура, монослой, прямозонный полупроводник.