Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Высокочастотные свойства двумерной квантовой сверхрешетки в сильном однородном электрическом поле

Орлов Л.К.^1,2, Зедоми Т.Э.¹, Ивина А.С.^1,3, Орлов М.Л.³

¹Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия Alekseev State Technical University, Nizhny Novgorod, Russia

Alekseev State Technical University, Nizhny Novgorod, Russia

²Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

³Нижегородский институт управления при президенте Российской Федерации, филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы при президенте Российской Федерации, Нижний Новгород, Россия Russian Presidential Academy of National Economy and Public Administration, Nizhny Novgorod, Russia

Russian Presidential Academy of National Economy and Public Administration, Nizhny Novgorod, Russia

Email: orlov@ipm.sci-nnov.ru

Поступила в редакцию: 26 сентября 2023 г.

В окончательной редакции: 24 января 2024 г.

Принята к печати: 6 марта 2024 г.

Выставление онлайн: 27 апреля 2024 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В присутствии сильного квантующего электрического поля изучена высокочастотная проводимость двумерной квантовой сверхрешетки с прямоугольной ячейкой и неассоциативным законом дисперсии электронов. Рассмотрено влияние параметров сверхрешетки на характер областей неустойчивости переменного сигнала с продольной и поперечной относительно прикладываемого электрического поля поляризацией. Показано, что на характеристики усиливаемого сигнала в общем случае заметное влияние оказывают не только величина и направление прикладываемого к сверхрешетке электрического поля, но и параметры энергетического спектра электронов в сверхрешетке. В постоянном поле, направленном под углом к осям сверхрешетки, могут появляться области, где неустойчивость переменного сигнала с произвольной поляризацией реализуется только на высоких частотах. Ключевые слова: двумерная квантовая сверхрешетка, неассоциативный закон дисперсии, анизотропия, постоянное и переменное электрические поля, низкочастотные и высокочастотные характеристики.

A. Wacker. Phys. Reports, 357, 1 (2002)
Ю.А. Романов, Ю.Ю. Романова. ФТТ, 46, 162 (2004)
А.А. Андронов, И.М. Нефедов, А.В. Соснин. ФТП, 37, 378 (2003)
Д.Г. Павельев, Н.В. Демарина, Ю.И. Кошуринов, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, А.Е. Жуков, В.М. Устинов. ФТП, 38, 1141 (2004)
А.А. Андронов, Е.П. Додин, Д.И. Зинченко, Ю.Н. Ноздрин, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, В.А. Беляков, И.В. Ладенков, А.Г. Фефелов. Письма ЖЭТФ, 102, 235 (2015)
H. Eisele, L. Li, E.H. Linfield. Appl. Phys. Lett., 112, 172103 (2018)
D.G. Pavelyev, A.P. Vasilev, V.A. Kozlov, E.S. Obolenskaya, S.V. Obolensky, V.M. Ustinov. IEEE Trans. TGz Sci. Technol., 8, 231 (2018)
M.F. Pereira, A. Apostolakis. Nanomaterials, 11, 1287 (2021)
М.Л. Орлов, Л.К. Орлов. ФТП, 55, 241 (2021)
Ю.А. Романов, Е.В. Демидов. ФТП, 31, 308 (1997)
И.А. Дмитриев, Р.А. Сурис. ФТП, 36, 1449 (2002)
Д.В. Завьялов, В.И. Конченков, С.В. Крючков. ФТП, 53, 1527 (2019)
J. Lee, R. Lee, S. Kim, K. Lee, H.-M. Kim, S. Kim, M. Kim, S. Kim, J.-Ho Lee, B.-G. Park. Solid State Electron., 164, 107701 (2020)
X. Huang, Ch. Liu, P. Zhou. 2D Mater. Applications, 51, 1 (2022)
С.А. Рудин, Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, П.Л. Новиков, А.В. Ненашев, Е.Е. Родякина, А.В. Двуреченский. ФТП, 52, 1346 (2018)
Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, Г.К. Кривякин, Е.Е. Родякина, П.А. Кучинская, Б.И. Фомин, А.Н. Яблонский, М.В. Степихова, А.В. Новиков, А.В. Двуреченский. ФТП, 52, 1028 (2018)
L.K. Orlov, V.I. Vdovin, N.L. Ivina, E.A. Steinman, Yu.N. Drozdov, M.L. Orlov. Crystals, 10, 491 (2020)
J. Greil, E. Bertagnolli, B. Salem, T. Baron, P. Gentile, A. Lugstein. Appl. Phys. Lett., 111, 33103 (2017)
M.L. Orlov, Yu.A. Romanov, L.K. Orlov. Microelectronics J., 36, 396 (2005)
M.L. Orlov, Yu.A. Romanov, L.K. Orlov. Proceed. SEMINANO2005, Budapest, Hungary, 2, 325 (2005)
Л.К. Орлов, Ю.А. Романов. Изв. вузов. Радиофизика, 32, 282 (1989)
Ю.Ю. Романова, М.Л. Орлов, Ю.А. Романов. ФТП, 46, 1475 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель