Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электронные свойства топологического изолятора Sb₂Te₂Se

Минобрнауки России, Спин, 122021000036-3

Минобрнауки России, 122013100200-2

Институт физики металлов им. М.Н. Михеева (ИФМ УрО РАН), молодежный проект, 32-23/мол

Коваленко Ю.Е. ¹, Якушев М.В.^1,2,3, Гребенников В.И.¹, Орлита M.⁴, Титова С.Г.⁵, Кох К.А.^6,7,8, Терещенко О.Е.^8,9, Кузнецова Т.В.^1,3

¹Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия M.N. Mikheev Institute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

M.N. Mikheev Institute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

²Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия Institute of Solid State Chemistry, Russian Academy of Sciences, Ural Branch, Yekaterinburg, Russia

Institute of Solid State Chemistry, Russian Academy of Sciences, Ural Branch, Yekaterinburg, Russia

³Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия Ural Federal University after the first President of Russia B.N. Yeltsin, Yekaterinburg, Russia

Ural Federal University after the first President of Russia B.N. Yeltsin, Yekaterinburg, Russia

⁴Национальная лаборатория сильных магнитных полей (LNCMI), Гренобль, Франция
⁵Институт металлургии Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия Institute of Metallurgy of Ural Branch of the Russian Academy of Science, Ekaterinburg, Russia

Institute of Metallurgy of Ural Branch of the Russian Academy of Science, Ekaterinburg, Russia

⁶Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН, Новосибирск, Россия Sobolev Institute of Geology and Mineralogy, Siberian Branch Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Sobolev Institute of Geology and Mineralogy, Siberian Branch Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

⁷Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия Kemerovo State University, Kemerovo, Russia

⁸Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

⁹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 15 апреля 2024 г.

В окончательной редакции: 20 июня 2024 г.

Принята к печати: 20 июня 2024 г.

Выставление онлайн: 24 июля 2024 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Структурные и электронные свойства тонких слоев монокристаллов топологического изолятора Sb₂Te₂Se исследовались методами рентгеновской дифракции и магнитооптической спектроскопии. В спектрах пропускания, измеренных при 4.2 K, обнаружен резкий край полосы поглощения, а также осцилляции Фабри-Перо, позволившие оценить ширину запрещенной зоны E_g~374 мэВ и коэффициент преломления n~ 8.5. Приложение магнитного поля с напряженностью до 11 Тл привело к существенному уменьшению амплитуды осцилляций, что было связанно с эффектом Фарадея. Оценена поcтоянная Верде V~10³ град/см · Тл. Ключевые слова: топологический изолятор, Sb₂Te₂Se, магнитооптика, спектр пропускания.

M.Z. Hasan, C.L. Kane. Rev. Mod. Phys., 82, 3045 (2010)
L. Fu, C.L. Kane. Phys. Rev. Lett., 100, 096407 (2008)
J.E. Moore. Nature, 464, 194 (2010)
M. Orlita, B.A. Piot, G. Martinez, N.K. Sampath Kumar, C. Faugeras, M. Potemski, C. Michel, E.M. Hankiewicz, T. Brauner, vC. Dravsr, S. Schreyeck, S. Grauer, K. Brunner, C. Gould, C. Brune, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. Lett., 114, 186401 (2015)
L. Ohnoutek, M. Hakl, M. Veis, B.A. Piot, C. Faugeras, G. Martinez, M.V. Yakushev, C. Drasar, A. Materna, G. Strzelecka, A. Hruban, M. Potemski, M. Orlita. Sci. Rep., 6, 19087 (2016)
O.E. Tereshchenko, K.A. Kokh, V.V. Atuchin, K.N. Romanyuk, S.V. Makarenko, V.A. Golyashov, A.S. Kozhukhov, I.P. Prosvirin, A.A. Shklyaev. JETP Lett., 94, 465 (2011)
B.H. Toby, R.B. Von Dreele. J. Appl. Cryst., 46, 544 (2013)
T.L. Anderson, H.B. Krause. Acta Cryst., B30, 1307 (1974)
H.S. Bennett, E.A. Stern. Phys. Rev., 137, A448 (1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель