Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2024, выпуск 1 » Статья стр. 3
>>>
Морфология поверхности AlN-слоев, выращенных на наноструктурированном темплейте SiNx/Si(100)
Бессолов В.Н.1, Коненкова Е.В.1, Родин С.Н.1, Соломникова А.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: lena@triat.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 февраля 2024 г.
В окончательной редакции: 28 февраля 2024 г.
Принята к печати: 28 февраля 2024 г.
Выставление онлайн: 9 апреля 2024 г.
PDF версия
Морфология AlN-слоев, выращенных методом химического осаждения из металлорганических соединений на наноструктурированных подложках NP-Si(001), покрытых SiNx, изучалась атомно-силовой микроскопией. Слои AlN, выращенные на темплейте SiNx/NP-Si(100), демонстрируют шероховатость поверхности в 3.8 раза меньше, чем полученные на NP-Si(100), и близки к величине шероховатости для слоя AlN, выращенного на плоской подложке Si(111). Предложена модель, объясняющая различия в формировании морфологии поверхности AlN-слоев на подложке NP-Si(100) и темплайте SiNx/NP-Si(100). Ключевые слова: нитрид алюминия, нитрид кремния, нано-структурированная подложка кремния.
  1. L. Wang, W.D. Hu, J. Wang, X.D. Wang, S.W. Wang, X.S. Chen, W. Lu. Appl. Phys. Lett., 100, 123501 (2012). https://doi.org/10.1063/1.3695154
  2. Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto. Nature, 441, 325 (2006). https://doi.org/10.1038/nature04760
  3. F. Jose, R. Ramaseshan, S.T. Sundari, S. Dash, A.K. Tyagi, M.S.R.N. Kiran, U. Ramamurty. Appl. Phys. Lett., 101, 254102 (2012). http://dx.doi.org/10.1063/1.4772204
  4. I.S. Ezubchenko, M.Y. Chernykh, I.O. Mayboroda, I.N. Trun'kin, I.A. Chernykh, M.L. Zanaveskin. Crystallogr. Rep., 65 (1), 122 (2020). https://doi.org/10.1134/S1063774520010071
  5. Y. Sun, K. Zhou, M. Feng, Z. Li, Y. Zhou, Q. Sun, J. Liu, L. Zhang, D. Li, X. Sun, D. Li, Sh. Zhang, M. Ikeda, H. Yang. Light.: Sci. Appl., 7 (1), 13 (2018). https://doi.org/10.1038/s41377-018-0008-y
  6. Z.-Z.Zhang, J.Yang, D.-G. Zhao, F. Liang, P. Chen, Z.-S. Liu. Chin. Phys. B, 32 (2), 028101 (2023). https://doi.org/10.1088/1674-1056/ac6b2b
  7. A. Bardhan, S. Raghavan. J. Cryst. Growth, 578, 126418 (2022). https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2021.126418
  8. В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова. ЖТФ, 93 (9), 1235 (2023). https://doi.org/10.21883/JTF.2023.09.56211.31-23
  9. M. Monavarian, N. Izyumskaya, M. Muller, S. Metzner, P. Veit, N. Can, S. Das, U. Ozgur, F. Bertram, J. Christen, H. Morko c, V. Avrutin. J. Appl. Phys., 119 (14), 145303 (2016). https://doi.org/10.1063/1.4945770
  10. X. Luo, X. Zhang, Y. Qian, R. Fang, B. Chen, Y. Shen, Sh. Xu, J. Lyu, M.-J. Lai, G. Hu, Y. Cui. Appl. Surf. Sci., 608 (SC), 155262 (2023). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.155262
  11. F.L. Riley. J. Am. Ceram. Soc., 83 (2), 245 (2000). https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.2000.tb01182.x
  12. D. du Boulay, N. Ishizawa, T. Atake, V. Streltsov, K. Furuya, F. Munakata. Acta Cryst. B, 60 (4), 388 (2004). https://doi.org/10.1107/S010876810401393X
  13. В.В. Лундин, A.Ф. Цацульников, С.Н. Родин, А.В. Сахаров, С.О. Усов, М.И. Митрофанов, Я.В. Левицкий, В.П. Евтихиев. ФТП, 52 (10), 1237 (2018). https://doi.org/10.21883/FTP.2018.10.46467.8861
  14. V.K. Smirnov, D.S. Kibalov, O.M. Orlov, V.V. Graboshnikov. Nanotechnology, 14 (7), 709 (2003). https://doi.org/10.1088/0957-4484/14/7/304
  15. В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, Т.А. Орлова, С.Н. Родин, А.В. Соломникова. ЖТФ, 92 (5), 720 (2022). https://doi.org/10.21883/JTF.2022.05.52376.12-22
  16. W. Luo, L.Li, Zh.Li, Q. Yang, D. Zhang, X. Dong, D. Peng, L. Pan, Ch. Li, B. Liu, R. Zhong. J. Alloys Compd., 697, 262 (2017). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2016.12.126
  17. I. Bryan, Z. Bryan, S. Mita, A. Rice, J. Tweedie, R. Collazo, Z. Sitar. J. Cryst. Growth, 438, 81 (2016). https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.12.022
  18. L.L. Levenson, A. B. Swartzlander, A. Yahashi, H. Usui, I. Yamada. J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1447 (1990). https://doi.org/10.1116/1.576855
  19. А.В. Бабаевa, В.К. Неволин, В.Н. Стаценко, С.Д. Федотовa, К.А. Царик. Изв. РАН. Механика твердого. тела, 1, 102 (2020). https://doi.org/10.31857/S0572329920010043

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme