Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Морфология поверхности AlN-слоев, выращенных на наноструктурированном темплейте SiN_x/Si(100)

Бессолов В.Н.¹, Коненкова Е.В.¹, Родин С.Н.¹, Соломникова А.В.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Email: lena@triat.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 7 февраля 2024 г.

В окончательной редакции: 28 февраля 2024 г.

Принята к печати: 28 февраля 2024 г.

Выставление онлайн: 9 апреля 2024 г.

PDF версия

Морфология AlN-слоев, выращенных методом химического осаждения из металлорганических соединений на наноструктурированных подложках NP-Si(001), покрытых SiN_x, изучалась атомно-силовой микроскопией. Слои AlN, выращенные на темплейте SiN_x/NP-Si(100), демонстрируют шероховатость поверхности в 3.8 раза меньше, чем полученные на NP-Si(100), и близки к величине шероховатости для слоя AlN, выращенного на плоской подложке Si(111). Предложена модель, объясняющая различия в формировании морфологии поверхности AlN-слоев на подложке NP-Si(100) и темплайте SiN_x/NP-Si(100). Ключевые слова: нитрид алюминия, нитрид кремния, нано-структурированная подложка кремния.

L. Wang, W.D. Hu, J. Wang, X.D. Wang, S.W. Wang, X.S. Chen, W. Lu. Appl. Phys. Lett., 100, 123501 (2012). https://doi.org/10.1063/1.3695154
Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto. Nature, 441, 325 (2006). https://doi.org/10.1038/nature04760
F. Jose, R. Ramaseshan, S.T. Sundari, S. Dash, A.K. Tyagi, M.S.R.N. Kiran, U. Ramamurty. Appl. Phys. Lett., 101, 254102 (2012). http://dx.doi.org/10.1063/1.4772204
I.S. Ezubchenko, M.Y. Chernykh, I.O. Mayboroda, I.N. Trun'kin, I.A. Chernykh, M.L. Zanaveskin. Crystallogr. Rep., 65 (1), 122 (2020). https://doi.org/10.1134/S1063774520010071
Y. Sun, K. Zhou, M. Feng, Z. Li, Y. Zhou, Q. Sun, J. Liu, L. Zhang, D. Li, X. Sun, D. Li, Sh. Zhang, M. Ikeda, H. Yang. Light.: Sci. Appl., 7 (1), 13 (2018). https://doi.org/10.1038/s41377-018-0008-y
Z.-Z.Zhang, J.Yang, D.-G. Zhao, F. Liang, P. Chen, Z.-S. Liu. Chin. Phys. B, 32 (2), 028101 (2023). https://doi.org/10.1088/1674-1056/ac6b2b
A. Bardhan, S. Raghavan. J. Cryst. Growth, 578, 126418 (2022). https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2021.126418
В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова. ЖТФ, 93 (9), 1235 (2023). https://doi.org/10.21883/JTF.2023.09.56211.31-23
M. Monavarian, N. Izyumskaya, M. Muller, S. Metzner, P. Veit, N. Can, S. Das, U. Ozgur, F. Bertram, J. Christen, H. Morko c, V. Avrutin. J. Appl. Phys., 119 (14), 145303 (2016). https://doi.org/10.1063/1.4945770
X. Luo, X. Zhang, Y. Qian, R. Fang, B. Chen, Y. Shen, Sh. Xu, J. Lyu, M.-J. Lai, G. Hu, Y. Cui. Appl. Surf. Sci., 608 (SC), 155262 (2023). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.155262
F.L. Riley. J. Am. Ceram. Soc., 83 (2), 245 (2000). https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.2000.tb01182.x
D. du Boulay, N. Ishizawa, T. Atake, V. Streltsov, K. Furuya, F. Munakata. Acta Cryst. B, 60 (4), 388 (2004). https://doi.org/10.1107/S010876810401393X
В.В. Лундин, A.Ф. Цацульников, С.Н. Родин, А.В. Сахаров, С.О. Усов, М.И. Митрофанов, Я.В. Левицкий, В.П. Евтихиев. ФТП, 52 (10), 1237 (2018). https://doi.org/10.21883/FTP.2018.10.46467.8861
V.K. Smirnov, D.S. Kibalov, O.M. Orlov, V.V. Graboshnikov. Nanotechnology, 14 (7), 709 (2003). https://doi.org/10.1088/0957-4484/14/7/304
В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, Т.А. Орлова, С.Н. Родин, А.В. Соломникова. ЖТФ, 92 (5), 720 (2022). https://doi.org/10.21883/JTF.2022.05.52376.12-22
W. Luo, L.Li, Zh.Li, Q. Yang, D. Zhang, X. Dong, D. Peng, L. Pan, Ch. Li, B. Liu, R. Zhong. J. Alloys Compd., 697, 262 (2017). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2016.12.126
I. Bryan, Z. Bryan, S. Mita, A. Rice, J. Tweedie, R. Collazo, Z. Sitar. J. Cryst. Growth, 438, 81 (2016). https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.12.022
L.L. Levenson, A. B. Swartzlander, A. Yahashi, H. Usui, I. Yamada. J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1447 (1990). https://doi.org/10.1116/1.576855
А.В. Бабаевa, В.К. Неволин, В.Н. Стаценко, С.Д. Федотовa, К.А. Царик. Изв. РАН. Механика твердого. тела, 1, 102 (2020). https://doi.org/10.31857/S0572329920010043

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель