Многофононная релаксация триплета 1s(T2) нейтральных доноров магния в кремнии
Бекин Н.А.
1, Жукавин Р.Х.
1, Цыпленков В.В.
1, Шастин В.Н.
11Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: nbekin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 7 ноября 2023 г.
В окончательной редакции: 13 декабря 2023 г.
Принята к печати: 16 января 2024 г.
Выставление онлайн: 9 апреля 2024 г.
Используя адиабатическое и одноэлектронное приближения, сделана оценка темпа многофононной релаксации парасостояний триплета 1s(T2) нейтральных доноров магния в кремнии. Учтены доминирующие процессы рассеяния, связанные с взаимодействием с LO- и LA-фононами. Согласно расчетам, темп многофононной релаксации при нулевой температуре имеет порядок 1011 с-1. Ключевые слова: глубокие примеси, доноры магния в кремнии, многофононная релаксация, адиабатическое приближение.
- S.G. Pavlov, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin, H.-W. Hubers. Phys. Status Solidi B, 250, 9 (2013)
- В.Н. Шастин, Р.Х. Жукавин, К.А. Ковалевский, В.В. Цыпленков, В.В. Румянцев, Д.В. Шенгуров, С.Г. Павлов, В.Б. Шуман, Л.М. Порцель, А.Н. Лодыгин, Ю.А. Астров, Н.В. Абросимов, J.M. Klopf, H.-W. Hubers. ФТП, 53, 1263 (2019)
- R.K. Franks, J.B. Robertson. Solid State Commun., 5, 479 (1967)
- L.T. Ho, A.K. Ramdas. Phys. Rev. B, 5, 462 (1972)
- E. Ohta, M. Sakata. Solid State Electron., 22, 677 (1979)
- В.А. Коварский, Н.Ф. Перельман, И.Ш. Авербух. Многоквантовые процессы (М., Энергоатомиздат, 1985)
- I.B. Bersuker. The Jahn-Teller Effect (Cambridge University Press, United Kingdom, 2006)
- N. Dessmann, S.G. Pavlov, A. Pohl, V.B. Shuman, L.M. Portsel, A.N. Lodygin, Yu.A. Astrov, N.V. Abrosimov, B. Redlich, H.-W. Hubers. Phys. Rev. B, 106, 195205 (2022)
- A. Dargys, J. Kundrotas. Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP (Vilnius, 1994)
- W. Kohn, J.M. Luttinger. Phys. Rev., 90, 915 (1955)
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
- H.G. Grimmeiss, E. Janzen, K. Larsson. Phys. Rev. B, 25, 2627 (1982)
- E. Janzen, R. Stedman, G. Grossmann, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 29, 1907 (1984)
- A. DeAbreu, C. Bowness, R.J.S. Abraham, A. Medvedova, K.J. Morse, H. Riemann, N.V. Abrosimov, P. Becker, H.-J. Pohl, M.L.W. Thewalt, S. Simmons. Phys. Rev. Appl., 11, 044036 (2019)
- Sadao Adachi. Properties of Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (John Wiley \& Sons Ltd, 2005)
- B.K. Ridley. Solid State Electron., 21, 1319 (1978)
- Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках (М., Мир, 1986). [Пер. с англ.: B.K. Ridley. Quantum processes in semiconductors (Clarendon Press Oxford, 1982)]
- Huang Kun. Scientia Sinica, 24, 27 (1981)
- R. Passler. Czech. J. Phys. B, 24, 322 (1974)
- S. Rodriguez, T.D. Schultz. Phys. Rev., 178, 1252 (1969)
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., 1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
