Вышедшие номера
Пассивация поверхностей AlGaAs(100) растворами сульфида аммония
Лебедев М.В. 1, Львова Т.В. 1, Седова И.В. 1, Королева А.В. 2, Жижин Е.В. 2, Лебедев С.В. 2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: mleb@triat.ioffe.ru, aleksandra.koroleva@spbu.ru, evgeniy.zhizhin@spbu.ru, s.v.lebedev@spbu.ru
Поступила в редакцию: 14 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 15 июля 2024 г.
Принята к печати: 29 августа 2024 г.
Выставление онлайн: 8 октября 2024 г.

Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследовалось взаимодействие покрытых слоем естественного окисла поверхностей Al0.3Ga0.7As(100) с различными растворами сульфида аммония. Показано, что наиболее эффективное удаление слоя естественного окисла и химическая пассивация достигаются при обработке поверхности разбавленным водным раствором сульфида аммония с концентрацией ~4%, приготовленным из так называемого естественно "состаренного" коммерческого раствора. Обработанная поверхность содержит небольшое количество элементарного мышьяка и остаточных оксидов галлия и алюминия и покрыта пассивирующим слоем сульфидов мышьяка. В процессе обработки раствором той же концентрации, но приготовленным из "свежего" сульфида аммония, атомы серы практически не адсорбируются на поверхности полупроводника и формирования сульфидов мышьяка не происходит. Показано, что в результате взаимодействия как концентрированного (~44%) "состаренного" водного раствора сульфида аммония, так и ~4% раствора "состаренного" сульфида аммония в изопропиловом спирте происходит нарушение стехиометрии приповерхностной области твердого раствора за счет вымывания атомов галлия с поверхности, в результате чего происходит образование сравнительно толстого слоя оксида алюминия. Ключевые слова: AlGaAs, сульфидная пассивация, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия.