Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрохимическое профилирование структур n^+/n GaAs для полевых транзисторов

Протасов Д.Ю.^1,2, Камеш П.П.², Свит К.А.¹, Дмитриев Д.В.¹, Макеева А.А.¹, Рзаев Э.М.³, Журавлев К.С.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia

³Акционерное общество "Зеленоградский нанотехнологический центр", Москва, Зеленоград, Россия Zelenograd Nanotechnology Center, Zelenograd, Russia

Zelenograd Nanotechnology Center, Zelenograd, Russia

Email: protasov@corp.nstu.ru

Поступила в редакцию: 14 сентября 2023 г.

В окончательной редакции: 31 января 2024 г.

Принята к печати: 31 января 2024 г.

Выставление онлайн: 9 апреля 2024 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что при использовании стандартного рецепта электрохимического профилирования, в котором применяется интенсивное освещение галогеновой лампой мощностью до 250 Вт n^+/n GaAs-структуры для генерации необходимых для травления дырок, при использовании электролита этилендиаминуксусной кислоты получаемый профиль распределения электронов отличается от задаваемого во время роста для концентрации электронов в n^+-слое >4· 10¹⁸ см^-3. Такое отличие связано с появлением и развитием ямок травления, обусловленных увеличением степени дефектности слоев GaAs при возрастании концентрации донорной примеси - кремния. Для получения адекватных профилей распределения электронов в n^+/n GaAs-структурах необходимо ограничивать освещение до 25 Вт. Ключевые слова: электрохимическое профилирование, n^+/n GaAs, дефекты травления, искажение профиля концентрации.

P. Blood. Semicond. Sci. Technol., 1, 7 (1986)
http://www.wepcontrol.com/cv-profiler/
К.С. Журавлев, Д.Ю. Протасов, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Д.В. Гуляев, В.Г. Лапин, В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский. Автометрия, 56 (5), 1 (2020)
A.B. Pashkovskii, S.A. Bogdanov, A.K. Bakarov, A.B. Grigorenko, K.S. Zhuravlev, V.G. Lapin, V.M. Lukashin, I.A. Rogachev, E.V. Tereshkin, S.V. Shcherbakov. IEEE Trans. Electron Dev., 68 (1), 53 (2021)
D. Yu Protasov, D.V. Dmitriev, K.S. Zhuravlev, G.I. Ayzenshtat, A.Y. Yushchenko, A.B. Pashkovsky. Mater. Sci. Semicond. Process., 153, 107148 (2023)
M.O. Petrushkov, D.S. Abramkin, E.A. Emelyanov, M.A. Putyato, O.S. Komkov, D.D. Firsov, A.V. Vasev, M.Yu. Yesin, A.K. Bakarov, I.D. Loshkarev, A.K. Gutakovskii, V.V. Atuchin, V.V. Preobrazhenskii. Nanomaterials, 12, 4449 (2022)
Г.Е. Яковлев, М.В. Дорохин, В.И. Зубков, А.Л. Дудин, А.В. Здоровейщев, Е.И. Малышева, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, А.В. Кудрин. ФТП, 52 (8), 873 (2018)
George Yakovlev, Vasily Zubkov. J. Solid State Electrochem., 25, 797 (2021)
T. Clarysse, G. Brammertz, D. Vanhaeren, P. Eyben, J. Goossens, F. Clemente, M. Meuris, W. Vandervorst, R. Srnanek, R. Kinder, B. Sciana, D. Radziewicz, Zhiqiang Li. Mater. Sci. Semicond. Process., 11, 259 (2008)
M. Kaniewska, I. Slomka. Cryst. Res. Technol., 36 (8-10), 1113 (2001)
P.A. Kohl, F.W. Ostermayer. Ann. Rev. Mater. Sci., 19, 379 (1989)
Z. Mazouz, L. Beji, J. Meddeb, H. Ben Ouada. Arabian J. Chemistry, 4, 473 (2011)
Emna Ben Amara, Amira Lebib, Lotfi Beji. J. Electron. Mater., 49 (9), 5281 (2020)
A.R. Clawson. Mater. Sci. Engin., 31, 1 (2001)
Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
D.L. Rode. Semiconductors and Semimetals, Transport Phenomena (Academic Press, N.Y., 1975) v. 10, p. 1
А.А. Нечитайлов, Е.В. Астрова. Письма ЖТФ, 33 (16), 19 (2007)
Е.В. Астрова, А.А. Нечитайлов. ФТП, 42 (4), 480 (2008)
J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, C. Domke, Ph. Ebert, K. Urban. Phys. Rev. Lett., 78, 3334 (1997)
John E. Northrup, S.B. Zhang. Phys. Rev. B, 47 (11), 6791(R) (1993)
V. Swaminathan. Bull. Mater. Sci., 4 (4), 403 (1982)
Akos Nemcsics, Janos P. Makai. ФТП, 37 (6), 657 (2003)
M. Kayambaki, K. Tsagaraki, M. Lagadas, P. Panayotatos. Mater. Sci. Engin. B, 80, 164 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель